HL 37: Devices (elektrisch)
Freitag, 21. März 1997, 11:00–13:30, H3
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11:00 |
HL 37.1 |
Modellierung mikrofluidischer Systeme — •M. Richter, J. Mellmann, P. Voigt und G. Wachutka
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11:15 |
HL 37.2 |
Epitaktisch gewachsene Silizium Spitzen als Feldemitter — •H. Geiger, F. Kaesen, H. Baumgärtner und I. Eisele
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11:30 |
HL 37.3 |
Elektrothermische Simulation von Leistungsbauelementen:
Modellvalidierung durch Interne Laserdeflektion — •R. Thalhammer, G. Deboy und G. Wachutka
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11:45 |
HL 37.4 |
Simulation vertikaler Si-MOSFETs auf der Basis selektiver Epitaxie — •D. Klaes, M. Grimm, J. Moers, L. Vescan, M. Marso, P. Kordoš und H. Lüth
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12:00 |
HL 37.5 |
Kontrolle innerer Spannungen in Polysiliziumschichten durch Dotierung und Kornwachstum für die Integration mikromechanischer Sensoren — •K. Röschlau, U. Näher, C. Hierold, T. Scheiter, K. Oppermann, H. Kapels und H. v.Philipsborn
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12:15 |
HL 37.6 |
Simulation von vertikalen Kurzkanal-MOSFETs — •M. Kittler, H. Förster, D. Nuernbergk, F. Schwierz und G. Paasch
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12:30 |
HL 37.7 |
Rauscheigenschaften von In-Plane-Gate-Transistoren im Bereich niedriger Frequenzen — •P. Stelmaszyk, J. Koch, and A.D. Wieck
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12:45 |
HL 37.8 |
Akustoelektrische Wechselwirkungen in Halbleiter/Piezoelektrikum Hybridstrukturen — •M. Rotter, A. Wixforth und J.P. Kotthaus
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13:00 |
HL 37.9 |
Einfluß von Potentialbarrieren auf den ganzzahligen Quanten-Halleffekt — •F. Gagel and K. Maschke
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13:15 |
HL 37.10 |
Elementverteilungsbilder vergrabener Oxidschichten von silicon-on-insulator Strukturen — •C. Hülk, E. Schroer und H. Kohl
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