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HL: Halbleiterphysik

HL 39: III/V

HL 39.3: Vortrag

Freitag, 21. März 1997, 11:30–11:45, H1

Bestimmung der internen Feldverteilung in LT-GaAs p-i-n-Strukturen mit Hilfe des Franz-Keldysh-Effekts — •H. Seichter¹, S. Tautz¹, S. U. Dankowski¹, P. Kiesel¹, J. Ibbetson², A. C. Gossard², and G. H. D"ohler¹ — ¹Institut f"ur Technische Physik I, Universit"at Erlangen-N"urnberg — ²University of California, Santa Barbara, Materials Department

Scheidet man GaAs bei niedrigen Temperaturen (ca. 200^∘C) in einer Molekularstrahlanlage epitaktisch ab (LT-GaAs), werden bis zu 10²⁰cm⁻³ As_Ga-Defekte in den Kristall eingebaut. Die Konzentration dieser tiefen St"orstellen, die die Bandstruktur wesentlich mitbestimmt, l"a"st sich durch nachtr"agliches thermisches Ausheilen stark erniedrigen. Wir untersuchten die elektro-optischen Eigenschaften von doppel-hetero p-i-n-Strukturen, deren i-Schichten eine 500nm LT-GaAs Schicht enthielten. Mit Hilfe von Elektroabsorptionsmessungen (Franz-Keldysh-Effekt) k"onnen experimentell die internen Feldverteilungen dieser doppel-hetero p-i-n-Strukturen untersucht werden. Sie zeigen, wie erwartet, eine starke Abh"angigkeit von der Ausheiltemperatur. F"ur hohe Temperaturen erh"alt man sowohl in Sperr- als auch in Durchla"srichtung die typische Feldverteilung einer p-i-n-Struktur. F"ur niedrigere Ausheiltemperaturen weisen die Franz-Keldysh-Spektren auf v"ollig verschiedene interne Feldverteilungen hin, die im wesentlichen durch die Transporteigenschaften der hochohmigen LT-Schicht und die Raumladung der tiefen St"orstellen bestimmt sind.