Münster 1997 – scientific programme
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HL: Halbleiterphysik
HL 39: III/V
HL 39.4: Talk
Friday, March 21, 1997, 11:45–12:00, H1
Vertikaler Transport in gezielt ungeordneten Halbleiter-Übergitterstrukturen — •G. Richter1, C. Agert1, R. Rettig1, W. Stolz1, P. Thomas1, S.W. Koch1, K. Maschke2 und I.P. Zvyagin3 — 1Wiss. Zentrum f. Materialwissenschaften und Fachbereich Physik, Universität Marburg — 2EPF-Lausanne — 3Staatl. Universität Moskau
Bei der Untersuchung von Unordnungsphänomenen stellen gezielt ungeordnete Übergitter ein ideales, quasi eindimensionales Modellsystem dar. Beim Wachstum der Strukturen in der metallorganischen Gasphasenepitaxie (MOVPE) läßt sich durch Variation der Einzelschichtdicken die räumliche Unordnung definiert einstellen.
Es wurde ein Satz von n-dotierten, gezielt ungeordneten (Al0.3Ga0.7)As/ GaAs Übergittern mit unterschiedlich starker Unordnung hergestellt und mit photolithographischen Methoden in Mesen strukturiert und kontaktiert.
Mit Zunahme der Unordnung wird eine Abnahme der Tieftemperaturleitfähigkeit beobachtet. Im Bereich 20..100K zeigen alle Proben, auch diejenige mit dem höchsten Unordnungsgrad, ein quasimetallisches Verhalten. Diese Beobachtung wird auf die durch Umverteilung der Ladungsträger in der ungeordneten Struktur und durch Coulomb-Wechselwirkung verursachte Erniedrigung der energetischen Unordnung zurückgeführt.
Untersuchungen für verschiedene Dotierungsgrade werden vorgestellt und diskutiert.