DPG Phi
Verhandlungen
Verhandlungen
DPG

Münster 1997 – scientific programme

Parts | Days | Selection | Search | Downloads | Help

HL: Halbleiterphysik

HL 39: III/V

HL 39.6: Talk

Friday, March 21, 1997, 12:15–12:30, H1

Doppelbrechung in geordnetem (Al)GaInP — •R. Wirth, C. Geng, F. Scholz und A. Hangleiter — 4. Physikalisches Institut, Universität Stuttgart, Pfaffenwaldring 57, D-70550 Stuttgart

Unter bestimmten Wachsumsbedingungen kommt es in der metallorganischen Gasphasenepitaxie von (Al)GaInP zur Ausbildung eines (111) Übergitters von Ga- bzw. (Al)Ga- und In-reichen Ebenen[1]. Der geordnete Kristall besitzt, gegenüber der tetraedrischen Symmetrie Td von ungeordnetem (Al)GaInP, die reduzierte Symmetrie der CuPtB-Struktur. Durch die Ordnung kommt es zu einer Bandlückenabsenkung und Aufspaltung der Valenzbänder. Dies und andere Folgen für den Imaginärteil des Dielektrizitätstensors є sind intensiv untersucht worden. Hier werden nun Messungen der von der Ordnung herrührenden Doppelbrechung vorgestellt. Weit unter der Bandkante ist der geordnete Kristall positiv, zur Bandkante hin negativ doppelbrechend. Die Untersuchung von Re(є) führt zum einen zur Überprüfung und Ergänzung der in den letzten Jahren aus der Untersuchung von Im(є) gewonnen Kenntnisse der Bandstruktur geordneter Kristalle. Zum anderen eröffnet die Untersuchung der Doppelbrechung Wege zu neuen technischen Anwendungen[2].

[1] A. Gomyo, T.Suzuki, K. Kobayashi, S. Kawata, I. Hino, Appl. Phys. Lett. 50, 673 (1987)

[2] R. Wirth, A. Moritz, C. Geng, F. Scholz, A. Hangleiter, Appl. Phys. Lett. 69, 2225 (1996)

100% | Mobile Layout | Deutsche Version | Contact/Imprint/Privacy
DPG-Physik > DPG-Verhandlungen > 1997 > Münster