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HL: Halbleiterphysik

HL 4: Diamant

HL 4.2: Vortrag

Montag, 17. März 1997, 10:45–11:00, H3

Ladungsspeicherung in CVD-Diamantschichten — •C. E. Nebel — Walter Schottky Institut, TU-München, 85748 Garching

Die strukturellen Eigenschaften von CVD-Diamantschichten haben sich in den letzten Jahren erheblich verbessert, so daß elektronische Anwendungen als UV-Detektoren, Teilchendetektoren oder Transistoren realisierbar erscheinen. In diesem Beitrag werden transiente Photoleitungsexperimente vorgestellt, die an orientierten und statistisch gewachsenen CVD-Diamantschichten mit Dicken von 10 bis 180 µm in Sandwich Kontaktanordnung durchgeführt wurden. Die Photoanregung erfolgt mit einem Excimer-Laser (193 nm). Durch Anlegen einer Spannung (DC oder gepulst) und Beleuchtung mit einem oder mehreren Pulsen von jeweils 8 ns Dauer werden Ladungen in der Nähe des beleuchteten Kontakts gespeichert. Das zeitlich Abklingverhalten des Raumladungsfelds dieser Ladung (positiv oder negativ) kann durch DC-Photoleitungsexperimente bestimmt werden, und erstreckt sich über lange Zeiten (> 100 s), ist nahezu Temperaturinvariant (T < 500 K) und kann nicht durch Exponentialfunktionen gefittet werden. In Rahmen dieses Beitrags werden die Eigenschaften der Ladungsspeicherung, die Dynamik des zeitlichen Abklingverhaltens und Erklärungen diskutiert.