Münster 1997 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 40: Poster III

HL 40.1: Poster

Freitag, 21. März 1997, 11:00–14:00, Z

Charakterisierung einer neuartigen InGaAs-HEMT Struktur mittels Magnetotransport — •T.H. Sander, K.-J. Friedland, R. Hey und H. Kostial — Paul-Drude-Institut für Festkörperelektronik, Hausvogteiplatz 5-7, 10117 Berlin

Wir untersuchen einen hochdotierten In_0.20Ga_0.80As-Quantengraben (QG) von 10 nm Breite, der durch δ -Schichten in den Barrieren eines kurzperiodischen AlAs/GaAs-Übergitters modulations-dotiert ist. Im untersten Subband des QG werden Elektronendichten von 3.1x10¹² cm⁻² erreicht. Durch Verändern der Gate-Spannung wird die Struktur sukzessive verarmt und es werden die SdH-Oszillationen und der Quanten-Hall Effekt aufgezeichnet. Die Inkongruenz der beobachteten Quanten-Hall Plateaus mit der Frequenz der SdH-Oszillationen wird im Rahmen von mehrfach Subband-Leitung diskutiert. Die daraus abgeleitete Subband-Struktur wird mit einer selbst-konsistenten Lösung der gekoppelten Schrödinger-Poisson Gleichung verglichen. Die extrem starke Abschirmung der Streuung an ionisierten Störstellen durch die X-Elektronen im Übergitter führt zu hohen Einteilchen-Streuzeiten in den SdH-Oszillationen. Die Vorteile gegenüber konventionellen InGaAs-HEMT Strukturen werden dargestellt.