Münster 1997 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 40: Poster III
HL 40.19: Poster
Freitag, 21. März 1997, 11:00–14:00, Z
Untersuchungen zur Cadmium-Diffusion in Galliumarsenid — •G. Bösker1, N.A. Stolwijk1, H. Mehrer1, U. Södervall2 und W. Jäger3 — 1Institut für Metallforschung, Universität Münster, Wilhelm–Klemm–Straße 10, D-48149 Münster — 2Department of Physics, Chalmers University of Technology, S-41296 Göteborg — 3Institut für Festkörperforschung, Forschungszentrum Jülich, D-52425 Jülich
Für die Fabrikation von auf GaAs basierenden elektronischen Bauelementen ist eine genaue Kenntnis der Diffusion von Dotierstoffen, besonders denen, die das Ga-Untergitter besetzen, unabdingbar. Aus diesem Grund wurden in dieser Arbeit Diffusionsexperimente im Temperaturbereich von 750∘C bis 1201∘C unter Verwendung elementarer Cd- bzw. Cd/As-Quellen an intrinsischem und extrinsischem (CZn ≈ 1· 1019cm−3) GaAs durchgeführt. Für die diffundierten Kristalle wurde die Defektfreiheit mittels TEM bestätigt. Die resultierenden Diffusionsprofile wurden mittels der Spreading-Resistance- und SIMS-Analyse gemessen und stimmten in den Grenzen der Meßfehler für beide Verfahren überein. Sie ließen sich im Rahmen des Kick-Out-Mechanismus unter Annahme bestimmter Ladungszustände für die verschiedenen an der Diffusion beteiligten Diffusoren gut beschreiben. Die numerischen Anpassungen führten zu Daten sowohl für die Cd-Fremddiffusion als auch für die Ga-Selbstdiffusion. Die berechneten Diffusionskoeffizienten waren für die verschiedenen Diffusionsbedingungen (mit/ohne elementarem As) in sich konsistent.