Münster 1997 – wissenschaftliches Programm

Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

HL: Halbleiterphysik

HL 40: Poster III

HL 40.22: Poster

Freitag, 21. März 1997, 11:00–14:00, Z

Spektralellipsometrische Untersuchungen an MOVPE- InAs- und AlAs- Monolagen in GaAs — •H. Schmidt, B. Rheinländer und V. Gottschalch* — Fakultät für Physik und Geowissenschaften
Universität Leipzig, Linnéstr. 5, 04103 Leipzig
Fakultät für Chemie und Mineralogie Universität Leipzig*
Die mittels Spektralellipsometrie bei Zimmertemperatur an GaAs-Proben mit eingebetteten InAs-Schichten (0.5-2 Monolagen (ML)) und AlAs-Schichten (1-12 ML) gemessene dielektrische Funktion ⟨ ê ⟩ ist in der Umgebung der für GaAs kritischen Punkte E₀=1.424 eV und E₁=2.9 eV, E₁+Δ₁=3.17 eV im Vergleich zu GaAs-Proben ohne eingebettete Schicht modifiziert. Gezeigt wird, wie diese ⟨ ê⟩-Modifikation vom Material, von der Zahl und von der Dicke der eingebetteten Monolagen abhängt. Die energetische Lage der für eine, zwei und 25 räumlich ausreichend voneinander getrennten InAs-Schichten gefundenen InAs-korrelierten Übergangsenergien in der E₀(GaAs)-Umgebung stimmt gut mit Ergebnissen von PL-[1] und kalorimetrischen Absorptionsmessungen überein. Die Abhängigkeit der Übergangsenergien vom Abstand der Schichten weist auf eine Ausdehnung des effektiven Wirkungsbereiches der Schicht senkrecht zur Schicht von ca. 5 nm hin.

[1] R. Schwabe, F. Pietag, M. Faulkner, S. Lassen, V. Gottschalch, R. Franzheld, A. Bilz, J. L. Staehli, J. Appl. Phys. 77, 6295 (1995)