Münster 1997 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 40: Poster III

HL 40.25: Poster

Friday, March 21, 1997, 11:00–14:00, Z

Untersuchung des linearen elektrooptischen Effektes an GaAs mittels polarisationsabhängiger Elektroreflexion — •M. Angelov¹, R. Goldhahn¹ und S. Shokhovets² — ¹TU Ilmenau, Institut für Physik, PF 100565, D-98684 Ilmenau, GERMANY — ²BSPA, Skarina Ave. 65, 22027 Minsk, BELARUS

ER-Messungen mit linear polarisiertem Licht werden an (100)-orientierten GaAs bei Photonenenergien von 1.16 bis 1.26 eV durchgeführt. Die beobachtete Polarisationsabhängigkeit (∼sin2θ) entspricht der theoretisch erwarteten. Die Abhängigkeit des ER-Signals von der Modulationsspannung wird als Funktion der Feldstärke ausgewertet, die aus Franz-Keldysh- Oszillationen bestimmt wurde. Feldinhomogenitäten und die daraus resultierenden Interferenzeffekte werden berücksichtigt. Die ermittelten Werte für den elektrooptischen Koeffizienten r₃₂₁ liegen im Bereich von 0.9×10⁻¹² m/V bis 1.41×10⁻¹² m/V und entsprechen damit denen, die für den Transparenzbereich von GaAs bekannt sind. Die Ergebnisse zeigen, daß spannungsabhängige ER-Messungen zur Untersuchung der elektrooptischen Eigenschaften geeignet sind.