Münster 1997 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 40: Poster III

HL 40.29: Poster

Freitag, 21. März 1997, 11:00–14:00, Z

GaSb/AlSb-Braggreflektoren f"ur oberfl"achenemittierende Laser im 1.5 µ m-Bereich — •J. Koeth, R. Dietrich, F. Kieseling, and A. Forchel — Lehrstuhl f"ur Technische Physik, Universit"at W"urzburg, Am Hubland, D-97074 W"urzburg

F"ur die Daten"ubertragung auf Glasfasern werden Laser mit einer Emissionswellenl"ange im Bereich von 1.5 µ m ben"otigt. Die Laserstrahlung muß sich dabei effektiv in die Glasfaser einkoppeln lassen. Hierf"ur sind oberfl"achenemittierende Laserstrukturen aufgrund ihres speziellen Strahlprofils besonders geeignet.

Das Materialsystem GaSb/AlSb bietet sich wegen seines großen Brechungsindexsprunges von Δ n≈ 0.7 (300 K, 1.5 µ m) f"ur die Realisierung solcher oberfl"achenemittierender Laserstrukturen besonders an, da sich hier mit kurzen Spiegelsystemen hohe Reflektivit"aten erzielen lassen.

Verschiedene GaSb/AlSb-Spiegelstrukturen wurden mittels MBE gewachsen. Die optischen Eigenschaften der Spiegelstrukturen wurden mit Methoden der Reflexionsspektroskopie charakterisiert. Die Ergebnisse zeigen eine starke wellenl"angenabh"angige Modulation der Reflektivit"at und eine hohe Reflektivit"at an der Resonanzwellenl"ange des Spiegelsystems. Modellrechnungen der Reflektivit"at stimmen gut mit den experimentellen Ergebnissen "uberein.