Münster 1997 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 40: Poster III

HL 40.3: Poster

Freitag, 21. März 1997, 11:00–14:00, Z

Nahfeldoptische Lumineszenzuntersuchungen an InP/GaInAsP Heterostrukturen — •Othmar Marti¹, Joachim Barenz^1,2, Olaf Hollricher¹, Martin Wachter³, Ulrich Schöffel³ und Harald Heinecke³ — ¹Abteilung Experimentelle Physik, Universität Ulm, D-89069 Ulm — ²Omicron Vakuumphysik, Taunusstein — ³Abteilung Halbleiterphysik, Universität Ulm, D-89069 Ulm

GaInAsP-Heterostrukturen werden durch selektives Wachstum mit metallorganischer Molekularstrahlepitaxie (MOMBE) hergestellt. Die Zusammensetzung des quarternären Materials an Kanten wurde mit Mikro-Photolumineszenz und nahfeldoptischer Spektroskopie untersucht.

Die Proben wurden jeweils gespalten und die korrespondierenden Stellen im Fernfeld und im Nahfeld spektroskopiert. Die Nahfeld-optischen Untersuchungen wurden in Reflexion durchgeführt. Die Beleuchtung der Probe erfolgte in jedem Falle durch eine Subwellenlängenapertur. Der Vergleich von Messungen mit Fernfelddetektion und mit einer Detektion durch die Faser (interne Reflexion) zeigt eine deutlich verbesserte Ortsauflösung für den zweiten Fall. Diese Verbesserung könnte auf der Tatsache beruhen, dass bei interner Reflexion nur das Lumineszenzlicht von Elektronen mit einer geringen Geschwindigkeit detektiert wird . Die verwendeten Methoden werden kritisch diskutiert.