Münster 1997 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 40: Poster III

HL 40.31: Poster

Freitag, 21. März 1997, 11:00–14:00, Z

Stimulierte Emission von AlGaInP mit indirekter Bandlücke — •W. Schwarz¹, A. Wörner¹, M. Umlauff¹, H. Kalt¹, W. Langbein², D.J. Mowbray³ und M. Hopkinson⁴ — ¹Institut für Angewandte Physik, Univ. Karlsruhe, D-76128 Karlsruhe — ²Mikroelectronik Centret, DTU, DK-2800 Lyngby — ³Department of Physics, Univ. Sheffield, Sheffield S3 7RH — ⁴Dept. Electronics and Electr. Eng., Univ. Sheffield, Sheffield S1 3JD

(Al_xGa_1−x)_0.52In_0.48P ist das III-V Material mit der größten direkten Bandlücke, welches auf GaAs-Substrat gitterangepaßt aufgewachsen werden kann. Deshalb ist es von großem Interesse für opto-elektronische Anwendungen im sichtbaren Wellenlängenbereich.
Es werden Messungen der stimulierten Emission und der optischen Verstärkung an (Al_xGa_1−x)_0.52In_0.48P vorgestellt. Die Zusammensetzung der epitaktischen Schichten wurde so gewählt, daß sie in der Nähe des Überkreuzungspunktes vom direkten zum indirekten Halbleiter liegt. Bei geringer Anregung ist die Emission der indirekten Bandlücke zuzuordnen. Es ergibt sich bei einer Wellenlänge von 544 nm ein Schwellwert von weniger als 300 kW/cm² und eine optische Verstärkung von bis zu 600 cm⁻¹ bei einer Gittertemperatur von 5 K. Zeitaufgelöste Messungen zeigen, daß der stimulierte Prozeß aus dem direkten Band-Band-Übergang stammt. Einen weiteren Hinweis darauf gibt der Vergleich der stimulierten Kantenemission mit der spontanen Emission.