Münster 1997 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 40: Poster III

HL 40.35: Poster

Freitag, 21. März 1997, 11:00–14:00, Z

Azimutalabhängigkeit von GaAs(110)-Photoelektronenspektren — •R. Adelung¹, J.-W. Zahlmann-Nowitzki¹, K.-U. Gawlik¹, L. Kipp¹, M. Skibowski¹, C. Solterbeck² und W. Schattke² — ¹Institut für Experimentalphysik, Universität Kiel,= D-24098 Kiel — ²Institut für Theoretische Physik, Universität Kiel,= D-24098 Kiel

Es werden die Ergebnisse der mittels winkelaufgelöster Photoemissionsspektroskopie erhaltenen Valenzbandstruktur von GaAs(110) im Vergleich zu neuen theoretischen Rechnungen dargestellt. In einem neuartigen Meßmodus wird die in Kammermitte festgestellte Probe und mit Hilfe der computergesteuerten Rotation des Elektonenanalysators auf die azimutale Winkelabhängigkeit der Emissionsspektren untersucht. Vorteile bringt die konstante Einfallsrichtung des Lichtes, da dies die Interpretation der gemessenen Winkelabhängigkeitder Emissionsspektren stark vereinfacht. Dies erlaubt nicht nur die Variation des Emissionswinkels sondern auch die Untersuchung des Einflusses verschiedener Lichteinfallsrichtungen. Speziell werden hier der Einfluß der Geometrie des Dangling Bond Bandes und anderer Oberflächenzustände in azimutaler Winkelabhängigkeit erforscht. Das Ergebnis zeigt, daß jedes Bandein spezielles azimuthales Muster besitzt, welches sie unterscheidbar macht. Photoemissionsrechnungen im 1-Stufen-Modell stimmen hervorragend mit dem Experiment überein.