Münster 1997 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 40: Poster III

HL 40.36: Poster

Freitag, 21. März 1997, 11:00–14:00, Z

Bestimmung der elektronischen und geometrischen Struktur von MBE- GaAs(1 1 1):Mn(3×3) im Vergleich zur GaAs(1 1 1) (2×2) mittels winkelaufgelöster Photoemission — •K. Gohrt, O. Pfennigstorf, R. Schnurpfeil, D. Kampfenger, L. Kipp und M. Skibowski — Institut für Experimentalphysik, Universität Kiel, Leibnizstraße 19, D-24098 Kiel

Es werden die Ergebnisse der ARPES- und STM-Untersuchungen einer neuen Mn-stabilisierten GaAs(1 1 1):Mn(3×3)-Oberfläch e mit der bekannten As-stabilisierten GaAs(1 1 1) (2×2)-Oberfläche verglichen. Die MBE-Präparation der GaAs(1 1 1)-Oberfläche wurde in situ mit RHEED kontrolliert. Bei einem zusätzlichen Mn-Angebot während des Wachstums zeigt sich ein plötzlicher Wechsel von der (2×2)- zu einer (3×3)-Rekonstruktion. Die experimentelle Bandstruktur E(k_∥) wurde entlang ΓM, ΓM’ und ΓK der (1×1)-Oberflächenbrillouinzone bestimmt. Dafür wurden Energieverteilungskurven (EDC) der Photoelektronen in nicht-normaler Emission unter Benutzung einer He-Gasentladungslampe mit der Anregungsenergie hν = 21.22 eV mit hoher Energie- und Winkelauflösung (Δϑ≤0.5^∘ und ΔE 70 meV) aufgenommen. Die neu rekonstruierte Oberfläche zeigt im Vergleich zur reinen Oberfläche mehrere Mn-beeinflußte Oberflächenzustände. Die STM Untersuchungen zeigten eine (3×3)-Domänenstruktur sowie andere Rekonstruktionen. Der Vergleich der STM-Untersuchungen legt es nahe, daß die Beschreibung durch das As-Trimermodell wie für die (2×2)-Rekonstruktion nicht möglich ist.