Münster 1997 – wissenschaftliches Programm

Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

HL: Halbleiterphysik

HL 40: Poster III

HL 40.39: Poster

Freitag, 21. März 1997, 11:00–14:00, Z

Photolumineszenz von InAs/GaAs Monolagenstrukturen bei hohen Anregungsdichten — •M. Stroh¹, A.R. Goñi¹, C. Thomsen¹, O. Brandt², K. Ploog², F. Heinrichsdorff¹, A. Krost¹ und D. Bimberg¹ — ¹Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin, Hardenbergstr. 36, 10623 Berlin — ²Paul-Drude-Institut für Festkörperelektronik, Hausvogteiplatz 5-7, 10117 Berlin

Eine einzelne oder mehrere InAs Monolagen (ML) eingebettet in GaAs emittieren im roten Spektralbereich bei Energien von 50–100 meV unterhalb der Bandkante von GaAs. Die Emission zeichnet sich durch eine scharfe, ca. 10 meV breite Linie aus, deren Intensität die GaAs Bandkantenemission um mehr als eine Größenordnung übersteigt. Es wurden drei verschiedene Proben untersucht, die sich in der Anzahl (1–10) und der Dicke (0.8–1.5 ML) der InAs Monolagen unterscheiden. Die Proben wurden mit MBE bzw. MOCVD Verfahren gewachsen. Die Photolumineszenz (PL) wurde mit Laser-Leistungsdichten bis 1000 W/cm² bei 2 K angeregt. Dabei zeigt sich ein linearer Zusammenhang zwischen Anregungsdichte und der Intensität der InAs ML-Lumineszenz. Neben der ML- und GaAs Bandkantenemission beobachtet man auch Defektlumineszenz aus Kohlenstoff-Akzeptoren in GaAs, die in Konkurrenz mit der intrinsischen strahlenden Rekombination tritt. Bei einer Probe, bei der sich die InAs ML-Struktur innerhalb eines Wellenleiters aus zwei Al_0.5Ga_0.5As-Schichten befindet, läßt sich ein supralineares Verhalten der PL-Intensität als Funktion der Anregungsdichte beobachten.