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HL: Halbleiterphysik

HL 40: Poster III

HL 40.49: Poster

Freitag, 21. März 1997, 11:00–14:00, Z

Charakterisierung von Versetzungen in dotiertem, n–leitenden GaAs mittels Photoätzen, µRaman– und µPhotolumineszenz (PL)–Spektroskopie — •O. Pätzold¹, G. Irmer¹ und K. Sonnenberg² — ¹Institut für Theoretische Physik, TU Bergakademie Freiberg, B.-v.-Cotta-Str. 4, 09596 Freiberg — ²IFF, Forschungszentrum Jülich, 52428 Jülich

Individuelle Versetzungen in Si– bzw. Te–dotiertem GaAs wurden durch DSL–Photoätzen lokalisiert. Sie sind durch relativ ausgedehnte Ätzprofile (>10µ m) charakterisiert, wobei sich im GaAs:Si ein Ätzhügel, im GaAs:Te dagegen eine Vertiefung ergibt. Ramanspektroskopisch wurde nachgewiesen, daß diese Ätzprofile durch eine lokal erhöhte (GaAs:Si) bzw. erniedrigte (GaAs:Te) Elektronenkonzentration hervorgerufen werden. Eine mögliche Erklärung ist, daß die Versetzungen von Zonen mit einer lokal verringerten Defektkonzentration auf dem As–Untergitter umgeben sind. Diese Vermutung wurde durch spektral und lateral aufgelöste PL–Untersuchungen von Versetzungen in Si–dotiertem GaAs bestätigt.