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HL: Halbleiterphysik
HL 40: Poster III
HL 40.58: Poster
Friday, March 21, 1997, 11:00–14:00, Z
Bestimmung der Valenzbandaufspaltung von geordnetem GaInP mittels polarisationsabhängiger Elektroabsorptionsmessungen — •T. Kippenberg1, G. Schmiedel1, P. Kiesel1, U. Hilburger1, E. Greger2, K.H. Gulden2, M. Moser2 und G.H. Döhler1 — 1Institut für Technische Physik I, Erwin - Rommel - Str. 1, 91058 Erlangen — 2Paul Scherrer Institut, Badenerstr. 569, 8048 Zürich
Unter bestimmten Wachstumsbedingungen bildet sich bei der epitaktischen Abscheidung von GaInP ein natürliches Übergitter, das aus abwechselnd gallium- und indiumreicheren Ebenen aufgebaut ist. Der Ordnungsgrad η ist dabei stark von den verwendeten Wachstumsparametern abhängig. Die veränderte Symmetrie führt im Vergleich mit ungeordnetem GaInP zu einer Reduzierung der Bandlücke und einer Aufspaltung des Valenzbandes.
Mithilfe spektraler Transmissionsmessungen an MSM- (Metall-Semiconductor- Metall)- und doppel-hetero pin-Strukturen wurden die feldabhängigen Absorptionsänderungen für verschiedene Polarisationsrichtungen bestimmt. Die Auswertung dieser Messungen an Proben unterschiedlichen Ordnungsgrads η ermöglicht sowohl die Bestimmung der Bandlückenveringerung als auch der Valenzbandaufspaltung.