Münster 1997 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 40: Poster III

HL 40.65: Poster

Friday, March 21, 1997, 11:00–14:00, Z

Photolumineszenz, Reflektanz und Transmission von kubischem GaN zwischen 4 und 500 K — •J.R. Müllhäuser, O. Brandt, H. Yang, G. Paris und K.H. Ploog — Paul-Drude-Institut für Festkörperelektronik, Hausvogteiplatz 5–7, 10117 Berlin

Während sich hexagonales GaN weltweit zum Gegenstand intensiver Forschung entwickelt hat, gibt es ein Defizit an Untersuchungen zur metastabilen kubischen Phase. Dies ist umso bedauerlicher, als sie aufgrund ihres kleineren Bandabstandes, der höheren kristallinen Symmetrie und der leichten Spaltbarkeit auf kubischen Substraten die attraktivere Phase für im Sichtbaren arbeitende Lichtemitter ist. Eine erfolgreicher Einsatz dieses Materials setzt ein Verständnis der Rekombinationsvorgänge voraus, welches im Falle der kubischen Phase jedoch nur unzureichend ist. Zur Klärung dieser Prozesse wurden detaillierte temperaturabhängige Photolumineszenz-, Reflektions- und Transmissionsmessungen an mittels plasmaunterstützter MBE gewachsenen kubischen GaN Filmen durchgeführt. Wir gehen der Frage nach, inwieweit die intensive Lumineszenz kubischen Galliumnitrids exzitonischer Natur ist und ermitteln Aktivierungsenergien für deren Quenching durch nichtstrahlende Rekombination.