Münster 1997 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 40: Poster III

HL 40.70: Poster

Freitag, 21. März 1997, 11:00–14:00, Z

Dotierung von GaN mit Ca und C Ionen — •B. Mensching, Ch. Liu und B. Rauschenbach — Institut für Physik, Universität Augsburg, 86135 Augsburg

GaN ist ein vielversprechendes Material für photoelektrische- und
Hochtemperatur- Anwendungen. Die Ionenimplantation ist ein wesentliches Verfahren zur Dotierung von GaN mit dem Ziel der Herstellung von Bauelementen. Es werden die strukturellen, elektrischen und optischen Eigenschaften in Abhängigkeit von den Implantationsparametern untersucht. Der Einfluß der thermischen Nachbehandlung, die zur elektrischen Aktivierung der Dotanden und zur Ausheilung von Strahlenschäden dient, wird ebenfalls betrachtet. Als Target werden mit MBE gewachsene GaN-Schichten verwendet. Implantiert werden Ca- und C-Ionen. Die Energien variieren zwischen 60 und 180keV, die Dosen zwischen 1· 10¹³ und 1·10¹⁶cm⁻². Es kann eine Targetemperatur zwischen LN und 600^∘C eingestellt werden. Die therm. Nachbehandlung erfolgt durch RTA für 15sec bei 1150^∘C. An den Proben werden RBS-Channeling, Hall- und PL-Messungen vorgenommen.