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HL: Halbleiterphysik
HL 40: Poster III
HL 40.74: Poster
Friday, March 21, 1997, 11:00–14:00, Z
LP-MOVPE von GaN und GaN/GaInN auf SiC — •J. Off, H. Bolay, A. Sohmer, V. Syganow, A. Dörnen und F. Scholz — 4. Physikalisches Institut, Universität Stuttgart, Pfaffenwaldring 57, 70550 Stuttgart
Die Epitaxie von GaN und GaN/GaInN-Strukturen für die
Verwendung als lichtemittierende Bauteile hat in den letzten Jahren
bedeutende Fortschritte erziehlt. Zur elektrischen Kontaktierung von
Diodenstrukturen auf nicht dotierbarem Saphir-Substraten wird jedoch
ein aufwendiges Ätzverfahren benötigt. Die
Verwendung von (n-)dotiertem 6H-SiC-Substraten macht dies hingegen
überflüssig.
Zur Optimierung der Herstellung von GaN-Schichten auf SiC wurden
Nukleationsschichten aus AlN und GaN abgeschieden. Dabei wurden
an undotierten Schichten Halbwertsbreiten in Röntgendiffraktometrie
von weniger als 3 arcmin erreicht.
Photolumineszenzmessungen an diesen Strukturen zeigen
Linienbreiten von kleiner 6 meV.
Vergleiche mit dem Abscheidung auf Saphir lassen vermuten, daß
die Herstellung von Schichtstrukturen mit hoher
Materialqualität weniger deutlich von den Einstellung der
Wachstumsparametern der Nukleationsschicht abhängig ist.