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HL: Halbleiterphysik
HL 40: Poster III
HL 40.80: Poster
Friday, March 21, 1997, 11:00–14:00, Z
Untersuchungen zum In-Einbauverhalten beim MOVPE-Wachstum von GaInN — •A. Sohmer1, H. Bolay1, V. Syganow1, J. Off1, F. Steuber1, V. H"arle1, A. D"ornen1, H. Lakner2, and F. Scholz1 — 14. Physikalisches Institut, Universit"at Stuttgart, Pfaffenwaldring 57, 70550 Stuttgart — 2Fachbereich 9, Elektrotechnik, Gerhard Mercator Universit"at Duisburg, 47048 Duisburg
Durch Variation des In-Gehalts in GaN/GaInN Doppelhetero- oder Multiquantenfilmstrukturen lassen sich prinzipiell LEDs und Laserdioden mit Emissionswellenl"angen vom UV- bis hin zum roten Spektralbereich realisieren. Ein Problem hierbei ist jedoch die mit zunehmendem In-Gehalt auftretende Verschlechterung der optischen Eigenschaften und die Tendenz zur In-Segregation bei der LP-MOVPE von GaInN.
Dieser Beitrag besch"aftigt sich zun"achst mit dem Einflu"s verschiedener Epitaxieparameter wie Tr"agergaszusammensetzung, Wachstumsrate, V/III- und TMIn/TEGa-Verh"altnis, sowie Temperatur und Druck im Reaktor auf den In-Gehalt und die Schichtqualit"at von GaN/GaInN Heterostrukturen und Quantenfilmen.
Bei GaN/GaInN Quantenfilmen werden bei Photolumineszenzmessungen abh"angig von der Quantenfilmdicke unterschiedliche Arten optischer "Uberg"ange beobachtet. Dickere Schichten zeigen zwei GaInN korrelierte PL-peaks. Ein m"oglicher Zusammenhang dieser Beobachtungen mit den strukturellen Eigenschaften (Versetzungen, In-Einbauverhalten) der Quantenfilme wird diskutiert.