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HL: Halbleiterphysik

HL 40: Poster III

HL 40.82: Poster

Freitag, 21. März 1997, 11:00–14:00, Z

GaN-Synthese mittels laserinduzierter MBE — •Michael Gross und Helmut Schröder — DLR, Institut für Technische Physik, Pfaffenwaldring 38-40, D-70569 Stuttgart

Zum erstenmal wurden mittels laserinduzierter MBE (LIMBE) Filme aus hexagonalem GaN auf Si(100), Saphir(0001) und SiC(0001) ab- geschieden. Als Ausgangsmaterialien dienen Ga und Stickstoff, die in einem durch Laserbestrahlung erzeugten Plasma zu Nitrid reagieren. Der Einfluß der Substrattemperatur, des Substrat- materials sowie von Bufferschichten auf die Kristallinität, Kristallstruktur, Orientierung und Stöchiometrie der Filme wurden mit EDX-, REM- und Raman-Messungen untersucht.