Münster 1997 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 40: Poster III

HL 40.87: Poster

Freitag, 21. März 1997, 11:00–14:00, Z

Optische Charakterisierung epitaktischer InN-Schichten auf Si(111) und GaAs(100) — •A. Schneider, D. Drews, S. Morley und D.R.T. Zahn — Institut für Physik, Professur für Halbleiterphysik, Technische Universität Chemnitz, D-09107 Chemnitz

Dünne InN-Schichten, die mittels Plasma-unterstützter Molekularstrahlepitaxie (MBE) auf Si(111)- und GaAs(100)-Substraten hergestellt wurden, sind mit Raman- und Infrarotspektroskopie (IR) untersucht worden. Hierdurch konnten die Energien der optischen Phononen, die Bandlücke und є(ω) sowie die Schichtdicken der InN-Proben bestimmt werden. Die Schichten wurden bei einer Plasmaleistung von 300 W und einem Stickstoffdruck von etwa 2·10^-4mbar bei einer Substrattemperatur zwischen 250⁰C bis 300⁰C hergestellt. Die Temperatur der In-Knudsen-zelle betrug 730⁰C. Dadurch wurde eine exzellente Morphologie der Schichten erzielt. Die Ramanspektren zeigen zwar im Vergleich zum Substrat relativ breite Strukturen, die jedoch eindeutig phononischen Eigenschaften der Schicht zugeordnet werden können. Aus polarisierten IR-Transmissions- und Reflexionsmessungen konnten transversal optische (TO) Phononenfrequenzen von 450 cm^-1 und 476 cm^-1 für hexagonales InN bestimmt werden, die eindeutig mit den Strukturen in den Ramanspektren korrelieren. Die ebenfalls aus den IR-Messungen bestimmte hohe Ladungsträgerkonzentration erklärt möglicherweise auch die breiten Raman-Strukturen.