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Münster 1997 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 40: Poster III

HL 40.92: Poster

Freitag, 21. März 1997, 11:00–14:00, Z

Gitterplatzbestimmung von implantiertem Er in GaN — •R. Vianden1, E. Alves2, K. Freitag1 und J.C. Soares31ISKP, Univ. Bonn — 2Instituto Tecnologico e Nulcear, Sacavem, Portugal — 3Centro de Fisica Nuclear, Lissabon, Portugal

Die Lumineszenz von Er in Halbletern ist in den letzten Jahren intensiv untersucht worden, da der 1,54µm Innerschalenübergang des Er in einem Minimum der Absorption von Glasfasern liegt. Jüngste Untersuchungen [1] zeigen, daß die Effizienz dieses Übergangs in Halbleitern mit großer Bandlücke wie GaN besonders groß ist. Da zur Zeit noch wenig Erfahrung mit der Dotierung dieses Halbleiters durch Implantation besteht, wurde Er mit 160 keV und einer Dasis von 5x1013 bzw. 3x1014 Er/cm2 in epitaktisches GaN (1-2 µm auf Saphir) implantiert. Nach Tempern bei 900C wurden mit der RBS/Channeling Methode Winkelscans über die c-Achse und verschiedene Ebenen der GaN Wurzit-Struktur aufgenommen um so den Gitterplatz des Er zu bestimmen.(Gefördert von der EU unter CHRX-CT93-0363)

[1] E.Silkowski et al., Proc. MRS Spring Meeting 1996, San Francisco, U.S.A.

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