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HL: Halbleiterphysik
HL 40: Poster III
HL 40.9: Poster
Freitag, 21. März 1997, 11:00–14:00, Z
Polarisationsabh"angigkeit des 2D-Franz-Keldysh-Effekts in
MQW - Strukturen — •M. Weishart, A. Thr"anhardt, M. Kneissl, N. Linder, and G.H. D"ohler — Institut f"ur Technische Physik I, Universit"at Erlangen-N"urnberg, Erwin-Rommel-Str. 1, D-91058 Erlangen
Im Absorptionsspektrum einer MQW - Struktur beobachtet man wegen der gro"sen
exzitonischen Bindungsenergie bei Raumtemperatur, starke exzitonische
Resonanzen. F"ur elektrische Felder in schichtparalleler Richtung zeigt sich,
da"s wegen der fehlenden Einschr"ankung der Ladungstr"agerbewegung in der Ebene
kleine Felder ausreichend sind, das Exziton zu ionisieren, woraus gro"se
Absorptions"anderungen bei der Exzi-
tonen-Resonanz-Wellenl"ange resultieren.
Bei weiterer Felderh"ohung erh"alt man charakteristische
Franz-Keldysh-Oszillationen.
Die fr"uheren Ergebnisse [1] wurden mit unpolarisiertem Licht erhalten. Das
angelegte elektrische Feld bricht jedoch die Symmetrie des Systems. Deshalb
erwartet man eine Polarisationsabh"angigkeit der Absorption, die aus der
feldabh"angigen Mischung der schweren und leichten L"ocher resultiert.
Wir haben diesen Effekt an GaAs/AlGaAs und an pseudomorph verspannten
InGaAs/GaAs-Quantent"opfen untersucht. In beiden
F"allen erhielten wir schwache Polarisationsabh"angigkeit, die wir
quantitativ mit den Ergebnissen von Berechnungen im Rahmen der
k · p -Theorie vergleichen.
[1] M. Kneissl et al., Superlattices and Microstructures 16, 109 (1994)