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HL: Halbleiterphysik
HL 40: Poster III
Freitag, 21. März 1997, 11:00–14:00, Z
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11:00 | HL 40.1 | Charakterisierung einer neuartigen InGaAs-HEMT Struktur mittels Magnetotransport — •T.H. Sander, K.-J. Friedland, R. Hey und H. Kostial |
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11:00 | HL 40.2 | MBE-Wachstum und selbstkonsistente Modellrechnungen von Ga1−x Alx As Heterostrukturen — •M. Versen und A.D. Wieck |
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11:00 | HL 40.3 | Nahfeldoptische Lumineszenzuntersuchungen an InP/GaInAsP Heterostrukturen — •Othmar Marti, Joachim Barenz, Olaf Hollricher, Martin Wachter, Ulrich Schöffel und Harald Heinecke |
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11:00 | HL 40.4 | Halbleiter-Semimetall-Übergang an der GaSb/InAs-Grenzfläche — •G. Theurich, N. Linder und G.H. Döhler |
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11:00 | HL 40.5 | Leitfähigkeitsschwankungen in 2DEG-Supraleiter-Heterostrukturen — •C. M. A. Kapteyn, S. G. den Hartog, B. J. van Wees und T. M. Klapwijk |
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11:00 | HL 40.6 | Einfluß von Unordnung auf die linearen optischen Eigenschaften von Mehrfachquantenfilmen — •B. Grote, T. Stroucken, S. Haas, A. Knorr, P. Thomas, and S. W. Koch |
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11:00 | HL 40.7 | Direkte ESR an zweidimensionalen Elektronensystemen — •N. Nestle, C. Weinzierl, D. Reiser, G. Denninger, K. Brunner und K. Eberl |
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11:00 | HL 40.8 | Double and Triple Magnetopolarons in Quantum Wells — •V. I. Belitsky, I. G. Lang, L. I. Korovin, A. Cantarero, S. T. Pavlov, and M. Cardona |
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11:00 | HL 40.9 |
Polarisationsabh"angigkeit des 2D-Franz-Keldysh-Effekts in MQW - Strukturen — •M. Weishart, A. Thr"anhardt, M. Kneissl, N. Linder, and G.H. D"ohler |
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11:00 | HL 40.10 | Ein einfacher Ansatz f"ur die Masse des Exzitons in einem Quantengraben — •A. Siarkos, E. Runge, and R. Zimmermann |
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11:00 | HL 40.11 | Bestimmung der Transportparameter von 2DEG–Systemen mit Mikrowellen–Methoden — •A. Brensing, M. Mazloom–Tehrani und W. Bauhofer |
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11:00 | HL 40.12 | Zyklotron Resonanz Messungen im magnetischen Quanten–Grenzfall — •M. Widmann, J. Nehls, U. Merkt, K. T"otemeyer, K. Eberl, M. Cortes, and W. H"ausler |
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11:00 | HL 40.13 | Photoluminescence studies of pseudomorphic Si1−yCy/Si MQW structures at low temperature and high pressure — •Z.X. Liu, A.R. Goñi, K. Manz, K. Syassen, K. Brunner, and K. Eberl |
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11:00 | HL 40.14 | Optische Untersuchung der Spin-Glas Phase in niederdimensionalen semimagnetischen Halbleitern — •U. Zehnder, D.R. Yakovlev, and W. Ossau |
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11:00 | HL 40.15 | Vier-Wellen-Mischexperimente zur Charakterisierung von Unordnung in Halbleiterheterostrukturen — •A. Euteneuer, J. Möbius, K. Bott, R. Rettig, E.J. Mayer, M. Hofmann, P. Thomas, W. Stolz und W.W. Rühle |
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11:00 | HL 40.16 | Photoinduzierte Ströme an FIB implantierten Linien auf GaAs-Heterostrukturen — •C. Heidtkamp, S. Brosig, G. Kortenbruck und A.D. Wieck |
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11:00 | HL 40.17 | Transportuntersuchungen an geordneten (GaIn)P-MOVPE-Epitaxieschichten — •C. Zimprich, Ž. Špika, F. Höhnsdorf, W. Stolz, J. Jiang, A. Schaper und P. Werner |
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11:00 | HL 40.18 | Abstimmbare Falle für Exzitonen in Mikrostrukturen — •S. Zimmermann, A.O. Govorov, W. Hansen, J.P. Kotthaus, M. Bichler und W. Wegscheider |
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11:00 | HL 40.19 | Untersuchungen zur Cadmium-Diffusion in Galliumarsenid — •G. Bösker, N.A. Stolwijk, H. Mehrer, U. Södervall und W. Jäger |
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11:00 | HL 40.20 | Direct-gap reduction and valence band splitting of CuPtB-type ordered (AlxGa1−x)InP2 (0<x<1) studied by dark-field spectroscopy — •M. Schubert, B. Rheinl"ander, I. Pietzonka*, T. Sa"s*, and V. Gottschalch* |
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11:00 | HL 40.21 | Thermal stability of engineered Schottky barriers — •L. Sorba, M. Lazzarino, C. Marinelli, B. Müller, A. Franciosi, D. Chiola, and F. Beltram |
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11:00 | HL 40.22 | Spektralellipsometrische Untersuchungen an MOVPE- InAs- und AlAs- Monolagen in GaAs — •H. Schmidt, B. Rheinländer und V. Gottschalch* |
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11:00 | HL 40.23 |
Spektral-Ellipsometrie und optische Konstanten von (AlxGa1−x)InAs gitterangepaßt an InP — •J.-D. Hecht, B. Rheinländer, V. Gottschalch, G. Benndorf, J. Kovác und G. Wagner |
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11:00 | HL 40.24 | Oszillierende Felddomänen in Halbleiter-Übergittern mit Dotierungsfluktuationen — •M. Patra, G. Schwarz, F. Prengel und E. Schöll |
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11:00 | HL 40.25 | Untersuchung des linearen elektrooptischen Effektes an GaAs mittels polarisationsabhängiger Elektroreflexion — •M. Angelov, R. Goldhahn und S. Shokhovets |
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11:00 | HL 40.26 | Elektrisch detektierte magnetische Resonanz an GaAs/AlGaAs Heterostrukturen und neutronenbestrahltem sowie plastisch deformiertem GaAs — •T. Wimbauer, N. M. Reinacher, M. S. Brandt, D. M. Hofmann und M. Stutzmann |
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11:00 | HL 40.27 | Wachstumsoptimierung von GaAs Quantentöpfen auf (110) Spaltflächen — •G. Schedelbeck, W. Wegscheider, M. Bichler und G. Abstreiter |
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11:00 | HL 40.28 | Bestimmung der Ordung von InGaP/GaAs mit Raman-Spektroskopie — •P. Vogt, K. Hinrichs, A. Rumberg, K. Knorr, N. Esser, W. Richter und C. Geng |
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11:00 | HL 40.29 | GaSb/AlSb-Braggreflektoren f"ur oberfl"achenemittierende Laser im 1.5 µ m-Bereich — •J. Koeth, R. Dietrich, F. Kieseling, and A. Forchel |
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11:00 | HL 40.30 | PAC-Untersuchungen mit der Sonde 77Br(77Se) in GaAs, InAs, InP, GaP, GaSb und InSb. — •M. Wehner, R. Vianden, D. Forkel-Wirth und A. Burchard |
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11:00 | HL 40.31 | Stimulierte Emission von AlGaInP mit indirekter Bandlücke — •W. Schwarz, A. Wörner, M. Umlauff, H. Kalt, W. Langbein, D.J. Mowbray und M. Hopkinson |
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11:00 | HL 40.32 | Piezo-Optics of InP in the Visible-Ultraviolet Range — •D. R"onnow, P. Santos, E. Anastassakis, M. Kuball, and M. Cardona |
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11:00 | HL 40.33 | Halleffekt-Untersuchungen von 111In(111Cd) in InP. — •C. v. Nathusius und R. Vianden |
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11:00 | HL 40.34 | Alternative method for determining the shear deformation potential of the valence band in III-V semiconductor quantum wells — •Georg Rau, Philip Klipstein, Nikos Nicopoulos, Neil Johnson, and William Tribe |
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11:00 | HL 40.35 | Azimutalabhängigkeit von GaAs(110)-Photoelektronenspektren — •R. Adelung, J.-W. Zahlmann-Nowitzki, K.-U. Gawlik, L. Kipp, M. Skibowski, C. Solterbeck und W. Schattke |
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11:00 | HL 40.36 | Bestimmung der elektronischen und geometrischen Struktur von MBE- GaAs(1 1 1):Mn(3×3) im Vergleich zur GaAs(1 1 1) (2×2) mittels winkelaufgelöster Photoemission — •K. Gohrt, O. Pfennigstorf, R. Schnurpfeil, D. Kampfenger, L. Kipp und M. Skibowski |
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11:00 | HL 40.37 | Optical Phonons and Resonant Raman Scattering in Superlattices — •V. M. Fomin, S. N. Klimin, E. P. Pokatilov, J. T. Devreese, V. N. Gladilin, and S. N. Balaban |
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11:00 | HL 40.38 | 3-dimensionale Ätzsimulation von Halbleitereinkristallen — •M. Chahoud, H.-H. Wehmann und A. Schlachetzki |
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11:00 | HL 40.39 | Photolumineszenz von InAs/GaAs Monolagenstrukturen bei hohen Anregungsdichten — •M. Stroh, A.R. Goñi, C. Thomsen, O. Brandt, K. Ploog, F. Heinrichsdorff, A. Krost und D. Bimberg |
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11:00 | HL 40.40 | Mikroskopische Identifizierung der Aufl"osungsmechanismen von Si-Ausscheidungen in geheiztem, Si-dotiertem GaAs — •C. Domke, Ph. Ebert, M. Heinrich, and K. Urban |
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11:00 | HL 40.41 | MOVPE und Charakterisierung antimonhaltiger III-V Verbindungshalbleiter und Übergitter — •A. Behres, H. Werner, C. v. Eichel-Streiber, M. Heuken und K. Heime |
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11:00 | HL 40.42 | MOVPE von n- und p-dotiertem GaInAs mit TBAs als alternativer Gruppe-V-Quelle — •Ch. Giesen, X. Xu, M. Heuken, R. Hövel und K. Heime |
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11:00 | HL 40.43 | Magnetooptischer Kerr-Effekt und Magnetophotolumineszenz von InGaAs/InP-Multiquantum-Wells bei Raumtemperatur — •M. Vergöhl, M. Rode, O. Jaschinski, J. Schoenes, P. Bönsch und A. Schlachetzki |
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11:00 | HL 40.44 | ODMR und Level-Anticrossing-Spektroskopie an GaAs/AlAs-Superlattices — •W. von Foerster, A. Hofstaetter, B.K. Meyer, A. Scharmann, C. Schnorr, P.G. Baranov, N.G. Romanov, F.-J. Ahlers und K. Pierz |
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11:00 | HL 40.45 | Thermokraft von Mg-dotiertem GaN — •P. A. Herbst, M. S. Brandt, O. Ambacher und M. Stutzmann |
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11:00 | HL 40.46 | Magnetoexcitons in coupled InGaAs/GaAs quantum wells — •T. Wang, M. Bayer, T. Gutbrod, F. Kieseling, and A. Forchel |
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11:00 | HL 40.47 | Optische Untersuchung von Titan-Schwefel-Komplexen in GaP — •R. Göser, K. Kornitzer, W. Ulrici, K. Thonke und R. Sauer |
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11:00 | HL 40.48 | Minibandbildung und Wannier–Stark–Lokalisierung in zweiatomigen GaAs/AlGaAs–Übergitterstrukturen — •H. Stroh, W. Geißelbrecht, N. Linder, G.H. Döhler, H.T. Grahn und K.H. Ploog |
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11:00 | HL 40.49 | Charakterisierung von Versetzungen in dotiertem, n–leitenden GaAs mittels Photoätzen, µRaman– und µPhotolumineszenz (PL)–Spektroskopie — •O. Pätzold, G. Irmer und K. Sonnenberg |
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11:00 | HL 40.50 | Tiefenaufgelöste Untersuchung des Schadensprofils von N2- und Ar- Ionenstrahl geätzten AlGaAs/GaAs-MQW-Strukturen mittels Photolumineszenzspektroskopie — •F. Frost, K. Otte, A. Schindler, F. Bigl, G. Lipppold und V. Gottschalch |
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11:00 | HL 40.51 | Zyklotronresonanz lichtinduzierter Elektronen in GaAs — •M. Manger, M. Rösch, E. Batke, K. Köhler und P. Ganser |
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11:00 | HL 40.52 | Hochfrequente Stromoszillationen in GaAs/AlAs-Übergittern — •T. Blomeier, E. Schomburg, J. Grenzer, K. Hofbeck, S. Winnerl, I. Lingott, S. Brandl, A.A. Ignatov, K.F. Renk, D.G. Pavel’ev*, Yu. Koschurinov*, B. Melzer**, S. Ivanov**, S. Schaposchnikov** und P.S. Kop’ev** |
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11:00 | HL 40.53 | Erzeugung von Submillimeterwellenstrahlung durch Frequenzvervielfachung von Millimeterwellenstrahlung mit Hilfe von Halbleiter-Übergittern — •K. Hofbeck, E. Schomburg, J. Grenzer, C. Dummer, T. Blomeier, S. Brandl, S. Winnerl, I. Lingott, A.A. Ignatov, K.F. Renk, D.G. Pavel’ev*, Yu. Koschurinov*, B. Melzer**, S. Ivanov**, S. Schaposchnikov** und P.S. Kop’ev** |
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11:00 | HL 40.54 | Magnetfeld-induzierte Ladungsträgerlokalisierung in Halbleiterschichtstrukturen — •P. Denk, M. Hartung, A. Wixforth, K. Campman und A.C. Gossard |
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11:00 | HL 40.55 | Biexzitonische Bindungsenergien beim Übergang vom 3D- zum 2D-Halbleiter — •J. Möbius, A. Euteneuer, R. Rettig, E. J. Mayer, M. Hofmann, W. Stolz und W. W. Rühle |
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11:00 | HL 40.56 | ODMR-Untersuchungen an elektronenbestrahltem AlxGa1− xAs — •F.K. Koschnick, K.-H. Wietzke, M.V.B. Pinheiro und J.-M. Spaeth |
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11:00 | HL 40.57 | Lokalisierte Elektronenzustände im modulationsdotierten Quantentopf - Grenzfall starker Unordnung — •M.C. Hofmann, C. Metzner, K. Schrüfer und G.H. Döhler |
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11:00 | HL 40.58 | Bestimmung der Valenzbandaufspaltung von geordnetem GaInP mittels polarisationsabhängiger Elektroabsorptionsmessungen — •T. Kippenberg, G. Schmiedel, P. Kiesel, U. Hilburger, E. Greger, K.H. Gulden, M. Moser und G.H. Döhler |
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11:00 | HL 40.59 |
Elektroabsorption in parabolischen Quantentopfstrukturen — •U. Sahr, W. Geißelbrecht, A. Masten, O. Gräbner, M. Forkel, G.H. Döhler, K. Campman und A.C. Gossard |
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11:00 | HL 40.60 | Nukleation und Wachstum von kubischem InxGa1−xN mittels RF-Plasma unterstützer MBE auf GaAs (001) — •J.R. Müllhäuser, O. Brandt, B. Jenichen, A. Trampert, M. Wassermeier und K.H. Ploog |
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11:00 | HL 40.61 | Vergleich von Raman-Messungen erster und zweiter Ordnung an AlN und GaN — •L. Filippidis, H. Siegle, G. Kaczmarczyk, A.P. Litvinchuk, C. Thomsen, K. Karch und F. Bechstedt |
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11:00 | HL 40.62 | Temperaturabhängige bandkantennahe Photolumineszenz von MBE-GaN-Schichten auf Saphirsubstrat — •M. Mundbrod, K. Thonke, R. Sauer, M. Mayer, A. Pelzmann, M. Kamp und K.J. Ebeling |
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11:00 | HL 40.63 | Hochauflösende Tiefenprofilanalyse an GaN Schichten und deren Substraten — •A. Bergmaier, G. Dollinger, C. Frey, S. Karsch, O. Ambacher und M. Stutzmann |
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11:00 | HL 40.64 | Wachstum von III-V Nitridverbindungen mit ECR-MBE — •M. Lipinski, J. Müller, F. Kieseling und A. Forchel |
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11:00 | HL 40.65 | Photolumineszenz, Reflektanz und Transmission von kubischem GaN zwischen 4 und 500 K — •J.R. Müllhäuser, O. Brandt, H. Yang, G. Paris und K.H. Ploog |
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11:00 | HL 40.66 | Der Einfluß von Wasserstoff auf das Wachstum von α-GaN auf c-Al2O3 — •Frank Freudenberg, Oliver Ambacher, Helmut Angerer und Martin Stutzmann |
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11:00 | HL 40.67 | Bestimmung der Zusammensetzung von AlGaN-Mischkristallen über Röntgendiffraktion — •Robert Höpler, Oliver Ambacher, Helmut Angerer , Eberhard Born, Günther Dollinger und Martin Stutzmann |
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11:00 | HL 40.68 | Elektrolumineszenz von GaN p/n Dioden — •Robert Handschuh, Oliver Ambacher, Roman Dimitrov und Martin Stutzmann |
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11:00 | HL 40.69 | GaN (001) und (0001) Oberflächen: metallischer Charakter und neuartige Oberflächenstrukturen — •Jörg Neugebauer, Tosja Zywietz und Matthias Scheffler |
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11:00 | HL 40.70 | Dotierung von GaN mit Ca und C Ionen — •B. Mensching, Ch. Liu und B. Rauschenbach |
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11:00 | HL 40.71 | Absorption von GaInN Single-Quantum Wells und AlGaN Mischkristallen — •D. Brunner, W. Rieger, O. Ambacher, M. Stutzmann, A. Sohmer, V. Haerle, F. Steuber und F. Scholz |
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11:00 | HL 40.72 | Plasma Induced Molecular Beam Epitaxy von α-GaN und AlxGa1−xN-Filmen sowie deren Dotierung — •H. Angerer, O. Ambacher, R. Dimitrov und M. Stutzmann |
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11:00 | HL 40.73 | Charakterisierung von AlxGa1−xN (x=0…1) Schichten mittels Reflectance Difference Spectroscopy (RDS) — •U. Rossow, N.V. Edwards, L. Mantese und D.E. Aspnes |
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11:00 | HL 40.74 | LP-MOVPE von GaN und GaN/GaInN auf SiC — •J. Off, H. Bolay, A. Sohmer, V. Syganow, A. Dörnen und F. Scholz |
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11:00 | HL 40.75 | Nichtlinear optische Spektroskopie von β-GaN/GaAs Hetero-strukturen — •O. Busch, G. Lüpke, C. Meyer, H. Kurz, O. Brandt und K. Ploog |
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11:00 | HL 40.76 | Biexziton und Elektron-Loch-Plasma im GaN — •J. Holst, L. Eckey, A. Hoffmann, I. Broser, K. Hiramatsu, H. Amano und I. Akasaki |
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11:00 | HL 40.77 | Gitterplatzbestimmung von ionenimplantiertem Li in GaN — •M. Dalmer, M. Restle, C. Ronning, H. Hofsäss, M.D. Bremser, R.F. Davis und U. Wahl |
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11:00 | HL 40.78 | Raman-Untersuchung epitaktischer MBE AlxGa1−xN-Schichten — •A. Cros, H. Angerer, O. Ambacher und M. Stutzmann |
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11:00 | HL 40.79 | Der flache Donator in GaN, ZnO und SiC: Messung der paramagnetischen Verschiebung mit Hilfe magnetischer Doppelresonanz — •D. Reiser and G. Denninger |
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11:00 | HL 40.80 | Untersuchungen zum In-Einbauverhalten beim MOVPE-Wachstum von GaInN — •A. Sohmer, H. Bolay, V. Syganow, J. Off, F. Steuber, V. H"arle, A. D"ornen, H. Lakner, and F. Scholz |
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11:00 | HL 40.81 | D"unne GaN-Filme auf Oberfl"achen der intermetallischen Verbindung CoGa — •G. Schmitz, P. Gassmann, and R. Franchy |
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11:00 | HL 40.82 | GaN-Synthese mittels laserinduzierter MBE — •Michael Gross und Helmut Schröder |
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11:00 | HL 40.83 | Determination of the Existance and Percentage of Cubic and Hexagonal Phases in GaN Using NEXAFS — •M. Katsikini, E.C. Paloura, T.D. Moustakas, E. Holub-Krappe, and J. Antonopoulos |
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11:00 | HL 40.84 | Temperaturabängigkeit der optischen Eigenschaften von Nitridverbindungen — •G.C. Rohr |
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11:00 | HL 40.85 | Neue SIRC-Pseudopotentiale f"ur wide-band-gap Halbleiter — •D. Vogel, P. Kr"uger, and J. Pollmann |
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11:00 | HL 40.86 | Untersuchungen an Ga1−xInxN-Schichten mittels in situ und ex situ Ramanspektroskopie — •A. Schneider, T. Werninghaus, N. Hartmann, D. Drews und D.R.T. Zahn |
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11:00 | HL 40.87 | Optische Charakterisierung epitaktischer InN-Schichten auf Si(111) und GaAs(100) — •A. Schneider, D. Drews, S. Morley und D.R.T. Zahn |
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11:00 | HL 40.88 | Raman- und Photolumineszenzuntersuchungen an GaN/GaAs unter Druck — •A. Kaschner, H. Siegle, A.R. Goñi, C. Thomsen, Z. Liu, C. Ulrich, K. Syassen, B. Schöttker, D.J. As und D. Schikora |
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11:00 | HL 40.89 | Nichtlineare Spektroskopie an GaN — •M. Steube, D. Fröhlich, K. Reimann und J. Wrzesinski |
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11:00 | HL 40.90 | Metastable Photoconductivity in n-type GaN — •Michèle T. Hirsch, J. A. Wolk, W. Walukiewicz, and E. E. Haller |
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11:00 | HL 40.91 | Schottky diodes of nitride forming metals on n–type GaN — •Michèle T. Hirsch, Kristin J. Duxstad, F. M. Ross, and E. E. Haller |
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11:00 | HL 40.92 | Gitterplatzbestimmung von implantiertem Er in GaN — •R. Vianden, E. Alves, K. Freitag und J.C. Soares |
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11:00 | HL 40.93 | Molekularstrahlepitaxie (MBE) von AlN auf Silizium und anderen Substraten — •S. Karmann, B. Schröter, J. Kräußlich, U. Kaiser, J. Jinschek, M. Rottschalk und W. Richter |
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11:00 | HL 40.94 | Barrierenhöhen realer Metall-Kontakte auf GaN — •T. U. Kampen und W. Mönch |
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11:00 | HL 40.95 | Bandkanten-nahe Photolumineszenz epitaktischer GaN-Schichten — •U. W. Pohl, L. Eckey, A. Hoffmann, H. Angerer, O. Ambacher und M. Stutzmann |
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11:00 | HL 40.96 | Struktur von GaN-Pufferschichten auf (0001)-Al2O3 — •H. Selke, S. Einfeldt, U. Birkle, D. Hommel und P.L. Ryder |
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11:00 | HL 40.97 | Hochanregungseffekte in ternären und quarternären Breitband II-VI und III-V Quantenstrukturen — •M. Straßburg, V. Kutzer, L. Eckey, U.W. Pohl, A. Hoffmann, I. Broser, S. Ivanov, N.N. Ledentsov, G. Kuang, W. Gebhardt, O. Ambacher und M. Stutzmann |
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11:00 | HL 40.98 | Epitaktisches Wachstum von kubischem GaN — •B. Schöttker, D. Schikora und K. Lischka |
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11:00 | HL 40.99 | Cathodoluminescence study of GaN epilayers on (100) GaAs — •C. Wang, D.J. As, B. Sch"ottker, D. Schikora, and K. Lischka |
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11:00 | HL 40.100 | Schwingungseigenschaften von III-V-Nitrid-Mischkristallen — •H. Grille, K. Karch, F. Bechstedt und Ch. Schnittler |
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11:00 | HL 40.101 | Heteroepitaxie von GaN mittels LPCVD auf hochangepaßten oxidischen Substraten — •M. Topf, O. Breitschädel, S. Koy-nov, S. Fischer und B.K. Meyer |
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11:00 | HL 40.102 | Magnetfeldmessungen an Übergangsmetallen in GaN — •P. Maxim, P. Thurian, L. Eckey, K. Pressel, R. Heitz, A. Hoffmann, I. Broser und B.-K. Meyer |