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Münster 1997 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 5: Raman/Nichtlineare Optik

HL 5.6: Vortrag

Montag, 17. März 1997, 11:45–12:00, H4

Elektronische Ramanstreuung an p-InP — •M. Wenzel, G. Irmer und J. Monecke — Institut für Theoretische Physik, TU Bergakademie Freiberg, B.-v.-Cotta-Str. 4, 09596 Freiberg

In der Vergangenheit wurden Akzeptorübergänge an p-InP mit Photolumineszenz und IR-Sektroskopie detektiert. Erstmals werden Spektren des elektronischen Ramaneffektes an flachen Akzeptoren (Zn, Cd) in p-InP in einem großen Löcherkonzentrationsbereich von semiisolierend bis p=7 · 1018 cm−3 vorgestellt.
Die Messungen wurden in Abhängigkeit von der Temperatur (9 K - 300 K) und von der Lichtpolarisation durchgeführt. Als Anregungsquelle diente ein Ti-Saphir-Laser bei einer Wellenlänge von λ=950 nm.
Die im Ramanspektrum beobachteten Banden werden Übergängen gebundener Löcher vom Grund- zu angeregten Zuständen zugeordnet. Für Proben mit p>1018 cm−3 werden der Einfluß des Einteilchenspektrums und der beobachtete Fano-Effekt diskutiert.

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