Münster 1997 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 5: Raman/Nichtlineare Optik

HL 5.8: Vortrag

Montag, 17. März 1997, 12:15–12:30, H4

Ortsaufgelöste µ-Raman-Untersuchungen an MBE-gewachsenen InGaAs-Schichten auf strukturierten InP-Oberflächen — •M. Aigle, J. Gerster, J. Porsche, J.M. Schneider, W. Limmer, R. Sauer und H. Heinecke — Abteilung Halbleiterphysik, Universität Ulm, Albert-Einstein-Allee 45, D-89081 Ulm

Beim Überwachsen strukturierter Oberflächen kann durch die lokal verschiedenen Wachstumsmechanismen die Schichtkomposition lokal variieren. Zu deren ortsaufgelöster Untersuchung eignet sich die µ-Raman-Spektroskopie. Die kompositions- und verspannungsabhängige Energieverschiebung der GaAs- und InAs-artigen optischen Phononen wurde zur Bestimmung des In-Gehalts herangezogen und an großflächigen InGaAs-Schichten kalibriert. Es wurden Ridge-Strukturen mit (100)- und {111}-Flächen auf InP(100)-Substraten untersucht, die mit einer nominell gitterangepaßten InGaAs-Schicht mittels MBE überwachsen waren. Die Ausdehnung der {111}-Facetten in Richtung (100)/(111)-Übergang lag bei mehreren Mikrometern. Die Schichtkomposition wurde entlang der (100) / (111) A / (100)- und der (100) / (111) B / (100)- Übergänge mittels µ-Raman-Spektroskopie mit einer lateralen Ortsauflösung von 0.7 µm bestimmt. Erste Messungen zeigen bei Annäherung an die Facettenübergänge auf der unteren (100)-Fläche zunächst über 6 µm eine Zunahme des In-Gehalts von 53% auf 58% und anschließend über 4 µm einen Abfall unter 45% am Übergang. Auf der oberen (100)-Fläche nimmt der In-Gehalt zum Übergang hin über 4 µm von 53% auf 56% zu.