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Münster 1997 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 7: Störstellen II

HL 7.8: Vortrag

Montag, 17. März 1997, 17:15–17:30, H1

Innere Übergänge und Umladungen von Vanadium in CdTe — •H. R. Selber1, P. Peka1, H.-J. Schulz1, R. Schwarz2 und K. W. Benz21Fritz-Haber-Institut der MPG, Faradayweg 4-6, D-14195 Berlin — 2Kristallographisches Institut der Universität Freiburg, Hebelstr. 25, 79104 Freiburg

Neben der bereits bekannten [1] Tieftemperatur-Lumineszenzbande des V3+ mit einer Nullphononenenergie von 4390 cm−1 wurden in CdTe-Kristallen innere Übergänge der beiden Ladungszustände V2+ und V+ bei 3810 cm−1 bzw. 3100 cm−1 gefunden. Diese Zuordnung ergibt sich durch Kristallfeldrechnungen aus den Energien interner Anregungen. Sie wird durch Abklingzeiten und Sensibilisierungsmessungen gestützt. In den Kristallen sind gleichzeitig alle 3 Ladungszustände des V vorhanden. Aus den Sensibilisierungsspektren wird ein Einelektronen-Modell hergeleitet, und die Lage der V2+/V3+-Donator- und V2+/V+-Akzeptor-Niveaus angenähert bestimmt. Donator- und Akzeptor-Energie sind etwa gleich, und die Umladungsniveaus liegen ungefähr in der Mitte der Bandlücke.

[1] P. Peka et al., Appl. Phys. A 58, 447 (1994)

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