Münster 1997 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 9: SiC

HL 9.12: Talk

Monday, March 17, 1997, 18:15–18:30, H3

Herstellung von epitaktischem β-SiC durch C₆₀-Karbonisierung von Silizium auf Saphir — •J. Müller, B. Rauschenbach und B. Stritzker — Institut für Physik, Universität Augsburg, 86135 Augsburg, Germany

Wird C₆₀ bei einer Temperatur von ca. 800^∘C auf Silizium abgeschieden, so entsteht Siliziumkarbid [1]. Dieses Verfahren wurde genutzt, um dünne SiC-Schichten durch Karbonisierung von SOS-(Silicon on Sapphire)-Substraten herzustellen. Die im Handel erhältlichen SOS-Wafer besitzen eine epitaktische (100)-Silizium-Schicht auf r-plane (1102)-Saphir. Die Siliziumschichten waren 400 und 600 nm dick. Nach dem Aufdampfen von C₆₀ auf die SOS-Substrate bei 810^∘C wurden die Schichten charakterisiert. Es bildet sich, wie aus RBS-(Rutherford-Backscattering-Spectrometry)-Messungen folgt, eine 200 nm dicke, stöchiometrische SiC-Schicht. Die Topographie wurde mit Hilfe von AFM-(Atomic Force Microscopy)-Messungen untersucht, wobei sehr glatte Oberlächen (Δh=±30nm) bei kleinen mittleren Korngrößen (d=40nm) beobachtet werden konnten. Röntgen-Polfigur-Messungen bestätigen die Epitaxie des entstandenen β-SiC.

[1] S. Henke, B. Stritzker and B. Rauschenbach, J. Appl. Phys. 78(3), 2070 (1995)