Münster 1997 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 9: SiC

HL 9.13: Vortrag

Montag, 17. März 1997, 18:30–18:45, H3

XPS-Untersuchungen zur chemischen Struktur von Si"-li"-zium"-kar"-bid-Oberfl"achen — •Kerstin Gebhardt¹, Bernd Schr"oter², Manfred Riehl-Chudoba², and Wolfgang Richter² — ¹Institut f"ur Physikalische und Theoretische Chemie, Universit"at Leipzig, Linnéstr. 2, D-04103 Leipzig — ²Institut f"ur Festk"orperphysik, Universit"at Jena, Max-Wien-Platz 1, D-07743 Jena

Die im Siliziumstrom eingestellten "Uberstrukturen haben gro"se Bedeutung f"ur die Molekularstrahlepitaxie von SiC [1]. Wir untersuchten die im Si-Dampfstrom und durch Heizen in situ pr"aparierten Oberfl"achenphasen (3×3), (1×1), (√3×√3)R30^∘ auf 6H-SiC(0001) sowie (3×1) und (2×1) auf 3C-SiC(001) mittels Mg Kα-angeregter XPS. Nach Entfaltung der Si 2p_1/2-Komponente wurde ein "ublicher nonlinear least-square fit mit der Voigt-Funktion als Linienform vorgenommen. Die ermittelten chemischen Verschiebungen der Rumpfniveaus des adsorbierten Siliziums und der verbliebenen Kontaminationen (C und O) stimmen f"ur die untersuchten Polytypen und "Uberstrukturen "uberein. Quantitative Analysen an verschiedenen Proben ergaben f"ur die (3×3)- bzw. die (3×1)- und (2×1)-Oberfl"achenstrukturen jeweils reproduzierbare Mengen "ubersch"ussigen Siliziums.

[1] A. Fissel, U. Kaiser, E. Ducke, B. Schr"oter, and W. Richter, J. Crystal Growth 154 (1995) 72

(Gef"ordert im Sonderforschungsbereich 196.)