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HL: Halbleiterphysik

HL 9: SiC

HL 9.16: Vortrag

Montag, 17. März 1997, 19:15–19:30, H3

Beobachtung des Ausheilverhaltens von 4H-Siliziumkarbid nach Implantation von Hafnium — •Thomas Licht¹, Kristian Freitag², Joachim Grillenberger¹, Michael Rüb¹ und Wolfgang Witthuhn¹ — ¹Institut für Festkörperphysik der Friedrich-Schiller-Universität Jena — ²Institut für Strahlen- und Kernphysik der Universität Bonn

Das Ausheilverhalten und die Bildung und Stabilität von Komplexen nach Implantation von Hafnium Fremdatomen in 4H-SiC wurde mittels der PAC-Spektoskopie untersucht.4H-SiC Einkristalle wurden mit radioaktivem ¹⁸¹Hf an der Universität Bonn mit einer Energie von 160 keV implantiert. Anschließend wurden die Proben bei Temperaturen von 800K bis 1850K ausgeheilt. Bereits nach einem Ausheilschritt von 900K zeigen sich zwei unterschiedliche axial symmetrische elektrische Feldgradienten (EFG). Abhängig von der Implantationsdosis zeigen diese beiden EFGs ein unterschiedliches Ausheilverhalten. Bei einer geringen Implantationsdosis (2·10¹³cm⁻²) verschwindet bei hohen Ausheiltemperaturen einer der beiden EFGs, während der Anteil des zweiten EFG weiterhin anwächst. Im Fall einer hohen Implantationsdosis (1.2·10¹⁴cm⁻²) steigen die Anteile beider EFGs im gesamten Temperaturbereich an. Ein Modell füer die gebildeten Komplexe wird vorgestellt.