Münster 1997 – wissenschaftliches Programm

Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

HL: Halbleiterphysik

HL 9: SiC

HL 9.2: Vortrag

Montag, 17. März 1997, 15:45–16:00, H3

Nukleare Transmutationsdotierung von 6H - Siliziumkarbid mit Phosphor — •Hans Heißenstein, Christian Peppermüller und Reinhard Helbig — Lehrstuhl für Angewandte Physik, Staudtstr. 7/A3, 91058 Erlangen

Mit Aluminium dotierte 6H - SiC Epitaxieschichten auf p⁺ - dotiertem 6H - SiC Substrat wurden mit einer Neutronendosis von 9.4· 10¹⁹ cm⁻², 3.5· 10²⁰ cm⁻² und 6.4 · 10²⁰ cm⁻² aus einem moderierten Reaktorspektrum bestrahlt. Der Donator ³¹P wird durch den auf einen Neutroneneinfang durch das ³⁰Si folgenden β ⁻ Zerfall des ³¹Si erzeugt. Nach der Bestrahlung wurde die β⁻ Aktivität der Proben gemessen. Anschließend wurden die Proben schrittweise zwischen 800 und 1800 ^oC getempert, um Strahlenschäden auszuheilen. Der erwartete pn- Übergang ist ab einer Ausheiltemperatur von 1600 ^oC meßbar. Zusätzlich wurde das Verhalten der Proben mit Halleffekt-, I-V -, C-V -, Fouriertransform-Infrarot (FTIR)- Spektroskopie - und Tieftemperaturphotolumineszenz(TTPL)- Messungen charakterisiert. TTPL-Messungen zeigen Phosphor-korrelierte Linien und in FTIR-Absorption ist eine breite Absorptionslinie (local mode des P) bei 474 cm⁻¹ sichtbar. Die elektrischen Störstellenparameter wurden aus C-V - und Halleffektmessungen gewonnen.