Münster 1997 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 9: SiC
HL 9.3: Vortrag
Montag, 17. März 1997, 16:00–16:15, H3
Elektrische Charakterisierung des Titanakzeptors in Siliciumkarbid — •Thomas Dalibor1, Gerhard Pensl1, Nils Nordell2, and Adolf Sch"oner2 — 1Institut f"ur Angewandte Physik, Universit"at Erlangen-N"urnberg — 2Industrial Microelectronics Center, Stockholm, Schweden
Photolumineszenz- und magnetische Resonanzuntersuchungen an Siliciumkarbid (SiC) Volumenkristallen haben gezeigt, da"s das "Ubergangsmetall Titan, eine der Hauptverunreinigungen in den Graphitteilen, als isoelektronische St"orstelle in das SiC-Gitter auf Si-Platz eingebaut wird. Zur Untersuchung der energetischen Lage Titan-korrelierter St"orstellen wurden deshalb n-Typ 4H und 6H SiC Epitaxieschichten mit Titan implantiert und mittels Deep Level Transient Spectroscopy (DLTS) charakterisiert. Im 4H Polytyp konnten zwei Niveaus bei EC−(117±8)meV und EC−(160±10)meV beobachtet werden. Aufgrund ihres Umladungscharakters und des Vergleichs mit den oben genannten Untersuchungen an SiC Volumenkristallen k"onnen diese Niveaus dem Titanakzeptor Ti3+(3d1) auf hexagonalem bzw. kubischem Si-Gitterplatz zugeordnet werden. Im 6H Polytyp wurden keine vergleichbaren Niveaus gefunden; in "Ubereinstimmung mit den ESR-Ergebnissen wird deshalb angenommen, da"s die Titanakzeptor niveaus in 6H SiC resonant im Leitungsband liegen.