Münster 1997 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 9: SiC
HL 9.4: Vortrag
Montag, 17. März 1997, 16:15–16:30, H3
Auswirkung einer plasma-unterstützten Oberflächenbehandlung auf die Qualität von deponierten Gate- Oxiden auf 6H-SiC — •A. Gölz und H. Kurz — Institut für Halbleitertechnik, Lehrstuhl II, RWTH Aachen
In diesem Beitrag wird die Auswirkung einer plasmaunterstützten Vorbehandlung der SiC-Oberfläche in Sauerstoff, Distickoxid sowie Wasserstoff auf die Dichte der Grenzflächenzustände und Oxidladungen bei mittels RPECVD deponierten Oxiden untersucht. Zur quantitativen Ermittlung der Defektdichte werden Kapazitäts-Spannungs-Messungen durchgeführt. Die Beteiligung von Stickstoff während des Prozesses führt zu einer Erhöhung der Defektdichten. Dagegen können durch eine Vorbehandlung in Sauerstoff die Grenzflächenzustände in der oberen Hälfte der Bandlücke sowie die Oxidladungen jeweils um eine halbe Größenordnung reduziert werden, d. h. in den Bereich von 1011 cm−2. Dieselbe Vorbehandlung führt bei Oxiden auf p-SiC zu einer hohen Grenzflächenzustandsdichte in der unteren Hälfte der Bandlücke. Hier kann eine Senkung der Grenzflächenzustandsdichte um eine Größenordnung, d. h. bis auf 6 × 1011 eV− 1cm−2, mittels einer Vorbehandlung in Wasserstoff erreicht werden. Sämtliche Plasmavorbehandlungen führen zu einem Zustand an der Oberfläche, der gegen folgende Hochtemperaturschritte stabil ist. Es kann sich also nicht um eine reine Passivierung von Störstellen handeln, da diese über 300 ∘C nicht stabil ist.