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Münster 1997 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 9: SiC

Monday, March 17, 1997, 15:30–19:30, H3

15:30 HL 9.1 Zustandsdichten an 6H-SiC/SiO2 Grenzflächen nach Umdotierung durch Ionenimplantation — •Michael Baßler, Valery Afanas’ev und Gerhard Pensl
15:45 HL 9.2 Nukleare Transmutationsdotierung von 6H - Siliziumkarbid mit Phosphor — •Hans Heißenstein, Christian Peppermüller und Reinhard Helbig
16:00 HL 9.3 Elektrische Charakterisierung des Titanakzeptors in Siliciumkarbid — •Thomas Dalibor, Gerhard Pensl, Nils Nordell, and Adolf Sch"oner
16:15 HL 9.4 Auswirkung einer plasma-unterstützten Oberflächenbehandlung auf die Qualität von deponierten Gate- Oxiden auf 6H-SiC — •A. Gölz und H. Kurz
16:30 HL 9.5 EPR- und ENDOR- Untersuchungen an Stickstoffdonatoren in 6H- 4H- und 3C-SiC — •M. März, S. Greulich-Weber und J.-M. Spaeth
16:45 HL 9.6 Wachstumsmodell f"ur die Homoepitaxie von SiC — •A. Fissel, K. Pfennighaus, U. Kaiser, B. Schr"oter, J. Furthm"uller, P. K"ackell, W. Richter, and F. Bechstedt
17:00 HL 9.7 Bestimmung der Wärmeleitfähigkeit von 3C-SiC mit Ramanspektroskopie — •S. Rohmfeld, M. Hundhausen und L. Ley
17:15 HL 9.8 Charakterisierung von dünnen Siliciumkarbid-Schichten mit spektroskopischer Ellipsometrie — •J. Scheiner, S. Pjech, A. Gerasimovitsch und V. Cimalla
17:30 HL 9.9 Identifikation von Chrom und Vanadium Störstellen in 4H-Siliziumkarbid — •Norbert Achtziger, Joachim Grillenberger, Falk Günther, Michael Rüb und Wolfgang Witthuhn
17:45 HL 9.10 Präzisionsbestimmung der atomaren Struktur von 6H- und 4H-SiC — •Andreas Bauer, Ludwig Dressler, Konrad Goetz, Jürgen Kräuslich, Peter Kuschnerus, Jürgen Wolf, Peter Käckell und F. Bechstedt
18:00 HL 9.11 Modelle f"ur die numerische Simulation von SiC-Bauelementen — •M. Lades, A. Schenk, and G. Wachutka
18:15 HL 9.12 Herstellung von epitaktischem β-SiC durch C60-Karbonisierung von Silizium auf Saphir — •J. Müller, B. Rauschenbach und B. Stritzker
18:30 HL 9.13 XPS-Untersuchungen zur chemischen Struktur von Si"-li"-zium"-kar"-bid-Oberfl"achen — •Kerstin Gebhardt, Bernd Schr"oter, Manfred Riehl-Chudoba, and Wolfgang Richter
18:45 HL 9.14 Elektrochemisches Ätzen von 6H-Siliziumkarbid — •Stefan Rysy und Reinhard Helbig
19:00 HL 9.15 Wachstum von 4H- und 6H-SiC Volumen-Einkristallen nach dem modifizierten Lely-Verfahren — •Norbert Schulze, Volker Heydemann, Donovan L. Barrett und Gerhard Pensl
19:15 HL 9.16 Beobachtung des Ausheilverhaltens von 4H-Siliziumkarbid nach Implantation von Hafnium — •Thomas Licht, Kristian Freitag, Joachim Grillenberger, Michael Rüb und Wolfgang Witthuhn
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