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M: Metallphysik

M 14: Texturen II

M 14.2: Vortrag

Mittwoch, 19. März 1997, 14:50–15:10, S 6

Untersuchung der Elektromigration in Al-Leiterbahnen mittels Orientierungsmapping am REM — •M. Lepper¹, A. von Glasow² und R. Schwarzer¹ — ¹Institut für Metallkunde und Metallphysik, Technische Universität Clausthal, Großer Bruch 23, 38678 Clausthal-Zellerfeld — ²Siemens AG, Otto-Hahn-Ring 6, 81739 München

Anhand von Kikuchi-Rückstreudiagrammen (backscatter Kikuchi patterns BKP, “EBSP”) wird die Orientierung einzelner Kristallite in einer Al-Leiterbahn bestimmt. Das REM bietet die Möglichkeit, einen frei zu wählenden Probenbereich abzurastern, um damit vollautomatisch ein Orientierungsmapping anzufertigen.
Kenngrößen wie Kornorientierung, Mißorientierung oder Art und Normalenrichtung der Korngrenze werden mit dem Auftreten von hillocks (Hügeln) und voids (Poren) korreliert. Zusätzlich werden Probleme der Probenpräparation im Hinblick auf die Güte der BKP diskutiert.