Münster 1997 – wissenschaftliches Programm

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M: Metallphysik

M 19: Postersitzung

M 19.14: Poster

Donnerstag, 20. März 1997, 15:00–19:00, Aula

Elektronischer Transport in porösen und ultradünnen Molybdänschichten — •H.-M. Latuske, F. Klabunde, M. Löhmann, B. Garke und T. Drüsedau — Institut für Experimentelle Physik, Otto-von-Guericke-Universität, Postfach 4120, 39016 Magdeburg

Durch die Variation des Argondruckes bei der Sputterdeposition von Molybdän kann die Dichte des Materials zwischen 50 und 96 % der Dichte des Volumenmaterials eingestellt werden. Die strukturellen Eigenschaften der Mo-Schichten sowie von Si/Mo/Si Sandwiches (in letzteren verhindert die Si-Decklage die nachträgliche Eindiffusion von atmosphärischem Sauerstoff) wurden durch umfangreiche Strukturuntersuchungen (Röntgenmethoden, TEM, XPS etc.) charakterisiert. Während die temperaturabhängige Leitfähigkeit des kompakten Materials den üblichen negativen Temperaturkoeffizienten zeigt, steigt die Leitfähigkeit des porösen Molybdäns mit der Temperatur sowohl für einfache Schichten als auch für die Sandwichstrukturen. Ein besonders starker Anstieg der Leitfähigkeit um einen Faktor 20 bei Erhöhung der Temperatur von 10 auf 300 K wird beobachtet, wenn die Dicke der Mo-Lagen in den Sandwiches einen Wert von 10 Å unterschreitet.