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O: Oberflächenphysik

O 13: Epitaxie auf Verbindungshalbleitern

O 13.1: Vortrag

Dienstag, 18. März 1997, 09:30–09:45, S 1

Morphologie und Rumpfniveau-Verschiebungen von MBE-präparierten GaAs(112)A(B)-und (114)A(B)-Oberflächen — •Jutta Platen, Carsten Setzer, Wolfgang Ranke und Karl Jacobi — Fritz-Haber-Institut der Max-Planck-Gesellschaft, Faradayweg 4-6, 14195 Berlin

Höherindizierte GaAs-Oberflächen werden als Substrate von niederdimensionalen Quantenstrukturen eingesetzt [1]. Zur Untersuchung solcher Oberflächen haben wir eine Kompakt-MBE- Apparatur mit UHV-Schleuse und Ankopplung an ein Elektronenspektrometer entwickelt. Die Proben wurden mit RHEED, LEED und SPA-LEED sowie Photoemission im Labor und bei BESSY untersucht. Die GaAs(112) Oberflächen sind unter MBE-Bedingungen nicht stabil. Die A-Fläche bildet Facetten mit fünf verschiedenen Flächen aus, deren Orientierungen mit SPA-LEED als {110},(111) und {124} identifiziert wurden. Die B-Fläche zeigt {110},(111) und (113) Orientierungen. Die Oberflächen- Rumpfniveau-Verschiebungen sind damit im Einklang. Ein Modell für die resultierende Oberflächen-Morphologie wird gezeigt. Diese Untersuchungen wurden auch auf GaAs(114) Oberflächen ausgedehnt. [1] R. Nötzel, L. Däweritz, K. Ploog, J. Cryst. Growth 127, 858 (1993)