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O: Oberflächenphysik

O 13: Epitaxie auf Verbindungshalbleitern

O 13.2: Vortrag

Dienstag, 18. März 1997, 09:45–10:00, S 1

Elektrochemische Metallabscheidung an Halbleitern — Vergleich mit der Vakuumdeposition — •G. Scherb¹, A. Kazimirov¹, J. Zegenhagen¹, R. Feidenhans’l² und D.M. Kolb³ — ¹MPI-FKF, Heisenbergstr. 1, 70569 Stuttgart — ²RISØNational Lab., DK-4000 Roskilde, Dänemark — ³Universität Ulm, Albert-Einstein-Allee 11, 89081 Ulm

Die Metallisierung von Halbleitern kann neben den klassischen Aufdampfverfahren im Vakuum auch durch elektrolytische Abscheidung aus Lösung erfolgen. Das Wachstum der Schichten beginnt bei der Vakuumdeposition auf reinen Halbleiteroberflächen, die relaxiert oder rekonstruiert vorliegen; die bestimmenden Parameter sind Aufdampfrate und Substrattemperatur. Im Elektrolyten hingegen sind die freien Valenzen der Halbleiteroberflächen durch Adsorption von Spezies aus der Lösung abgesättigt; das Schichtwachstum wird duch Elektrolytzusammensetzung und Elektrodenpotential beeinflußt.

Wir haben die Abscheidung von Cu auf n-GaAs(001) elektrochemisch und durch Vakuumdeposition durchgeführt und das Wachstum der gebildeten Filme durch LEED, AES und STM (im UHV) sowie mittels Oberflächenröntgenbeugung im Elektrolyten charakterisiert. Unterschiede und Gemeinsamkeiten der beiden Verfahren werden vorgestellt.