Münster 1997 – scientific programme

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O: Oberflächenphysik

O 13: Epitaxie auf Verbindungshalbleitern

O 13.3: Talk

Tuesday, March 18, 1997, 10:00–10:15, S 1

Ag(001)-Filme auf Fe/GaAs(001): Von chemisch reinen Ag-Oberflächen zu atomaren Ga-Strukturen — •F. Meisinger, D.E. Bürgler, C.M. Schmidt, D.M. Schaller und H.-J. Güntherodt — Institut für Physik, Universität Basel, CH-4056 Basel

Wir evaporieren in-situ 150 nm dicke epitaktische Ag(001) Filme auf Fe/GaAs(001) bei 370 K und tempern sie anschliessend bei 570 K, ohne dass sich dabei die chemische Reinheit (gem. XPS-Messungen) ändert. STM-Aufnahmen zeigen, dass die Art des GaAs-Substrats einen wesentlichen Einfluss auf die strukturelle Qualität der Ag-Oberfläche hat: Aus der Schmelze gezogenes GaAs, das zur Vorpräparation auf 870 K geheizt werden muss, führt zu Ag-Oberflächen mit einer mittleren Terrassenbreite von 36 nm und einer hohen Dichte von Schraubenversetzungen. As-abgesättigtes, MBE-gewachsenes GaAs, das nur auf 620 K geheizt werden muss, um ein c(4x4)-LEED Muster zu erhalten, liefert wesentlich grössere Terrassen und deutlich weniger Schraubenversetzungen. Tempern der Ag-Schicht bei T>580 K führt dagegen in beiden Fällen zur Diffusion von Ga-Atomen durch die Ag-Schicht, wie eine Tiefenprofilanalyse zeigt. An der Oberfläche nukleieren Ga-Atome zu Tetrameren und Reihenstrukturen, die durch LEED und hochaufgelöstes STM charakterisiert und modelliert werden.