Münster 1997 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 13: Epitaxie auf Verbindungshalbleitern

O 13.4: Vortrag

Dienstag, 18. März 1997, 10:15–10:30, S 1

Rumpfniveau- und Valenzbandspektroskopie am System
Ag/InP(100) — •S. Sloboshanin¹, A. Goldmann² und J. A. Schaefer¹ — ¹Institut für Physik, TU Ilmenau, 98684 Ilmenau — ²Fachbereich Physik, Universität Gh Kassel, 34132 Kassel

Es wurden mit photoelektronenspektroskopischen Methoden (XPS, UPS) und Beugung langsamer Elektronen (LEED) die Anfangsstadien der Grenzflächenausbildung von Silber auf der (4x2) rekonstruierten
InP(100) Oberfläche untersucht. Nach Aufdampfen von bis zu zehn Monolagen Silber wurde die chemische Zusammensetzung der obersten Schichten bei den Substrattemperaturen 110 K und 300 K bestimmt. Bei der Chemisorption der Silberatome reagieren diese mit den Indiumatomen aus der obersten Indiumphosphid-Schicht. Dabei bildet sich eine Silber/Indium-Legierung. Bei Raumtemperatur bildet sie Cluster mit unbedeckten Substratbereichen. Bei einer Substrattemperatur von 110 K erfolgt ein laminares Schichtwachstum des aufgedampften Films. Das mit Silber reagierte Indium bleibt dabei hauptsächlich an der Grenzfläche gebunden. Weiterhin konnte die Orientierung der aufwachsenden einkristallinen Silberbereiche relativ zum Substrat bestimmt werden.