Münster 1997 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 13: Epitaxie auf Verbindungshalbleitern

O 13.5: Vortrag

Dienstag, 18. März 1997, 10:30–10:45, S 1

Epitaxie von 2-6 Halbleitern auf van der Waals Oberflächen — •T. Löher, A. Klein, R. Rudolph, E. Schaar-Gabriel, C. Pettenkofer und W. Jaegermann — Hahn-Meitner-Institut, Abt. CG, Glienicker Straße 100, 14109 Berlin

Das Wachstum von CdS auf der van der Waals Oberfläche des Schichthalbleiters InSe wurde charakterisiert durch Photoelektronenspektroskopie mit Synchrotronstrahlung, LEED, TEM und AFM. Während die Keimbildung von CdS auf anderen Schichtgittersubstraten nur bei Temperaturen unter 0^∘C möglich ist, konnten auf InSe auch Schichten bei +100^∘C gewachsen werden. Dies wird auf die geringe Gitterfehlanpassung zurückgeführt, die eine größere Wechselwirkung zwischen Substrat und Film ermöglicht. Die LEED und TEM Aufnahmen zeigen weitgehend einkristallines Wachstum der Schicht. Die Oberfläche des Films entspricht der Schwefel-terminierten (0001)- bzw. (111)-Fläche und ist facettiert.