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O: Oberflächenphysik
O 13: Epitaxie auf Verbindungshalbleitern
O 13.6: Talk
Tuesday, March 18, 1997, 10:45–11:00, S 1
Van der Waals-Epitaxie von Indiumselenid-Schichten: Nukleation, Wachstum und elektronische Eigenschaften — •E. Schaar-Gabriel, O. Lang, R. Rudolph, S. Kubala, A. Klein, C. Pettenkofer und W. Jaegermann — Hahn-Meitner-Institut, Abt. CG, Glienicker Straße 100, 14109 Berlin
Epitaktische InSe-Schichten wurden auf unterschiedlichen Schichtgittersubstraten unter Variation der Wachstumsparameter (Quellen, Temperatur, Flüsse) aufgewachsen (Van der Waals-Epitaxie) und mit Photoelektronenspektroskopie, Elektronenbeugung (LEED) und Rastersondenmethoden untersucht. Die initielle Nukleation wird bestimmt durch die Zusammensetzung der Gasphase und die dadurch beeinflusste Reaktionskinetik auf der Oberfläche. Daraus resultieren unterschiedliche Wachstumsdefekte durch Fremdphasen des Indium-Selen-Systems, sowie In-Ausscheidungen auf gewachsenen InSe-Schichten. Diese bestimmen die elektronischen Eigenschaften der Schichten, wie z.B. die Elektronenbeweglichkeit, die bis zu 400 cm2/Vs erreicht.