Münster 1997 – wissenschaftliches Programm
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O: Oberflächenphysik
O 13: Epitaxie auf Verbindungshalbleitern
O 13.7: Vortrag
Dienstag, 18. März 1997, 11:00–11:15, S 1
Die Grenzfläche von Indiumoxid mit GaAs — •A. Klein1, O. Henrion1, C. Pettenkofer1, W. Jaegermann1, B. Mishori2, N. Bachrach Ashkenasy2 und Y. Shapira2 — 1Hahn-Meitner-Institut, Abt. CG, Glienicker Straße 100, 14109 Berlin — 2Tel Aviv University, Dept. of Electrical Engineering, Tel Aviv, 69978 Israel
Die Grenzfläche von Indiumoxid mit UHV-gespaltenen (110) Oberflächen von GaAs und InP wurde mit Photoelektronenspektroskopie mit Synchrotronstrahlung charakterisiert. Indiumoxid wurde durch reaktives Bedampfen bei verschiedenen Sauerstoffdrücken und Substrattemperaturen präpariert. Bei geringen Schichtdicken zeigen die O2s-Valenzbänder breite Strukturen. Bei größeren Schichtdicken beobachtet man scharfe charakteristische Valenzbandstrukturen ohne Bandlückenzustände. Das In4d-Niveau zeigt eine deutliche Schulter bei niedrigen Bindungsenergien die auf Emissionen aus dem O2s-Rumpfniveau zurückgeführt wird. Die Ergebnisse deuten auf einen schichtdickenabhängigen Sauerstoffgehalt in der Schicht. Dies erklärt auch die beobachteten Emissionen im Bereich der Bandlücke des Indiumoxids bei niedrigeren Bedeckungen.