Münster 1997 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 13: Epitaxie auf Verbindungshalbleitern

O 13.7: Vortrag

Dienstag, 18. März 1997, 11:00–11:15, S 1

Die Grenzfläche von Indiumoxid mit GaAs — •A. Klein¹, O. Henrion¹, C. Pettenkofer¹, W. Jaegermann¹, B. Mishori², N. Bachrach Ashkenasy² und Y. Shapira² — ¹Hahn-Meitner-Institut, Abt. CG, Glienicker Straße 100, 14109 Berlin — ²Tel Aviv University, Dept. of Electrical Engineering, Tel Aviv, 69978 Israel

Die Grenzfläche von Indiumoxid mit UHV-gespaltenen (110) Oberflächen von GaAs und InP wurde mit Photoelektronenspektroskopie mit Synchrotronstrahlung charakterisiert. Indiumoxid wurde durch reaktives Bedampfen bei verschiedenen Sauerstoffdrücken und Substrattemperaturen präpariert. Bei geringen Schichtdicken zeigen die O2s-Valenzbänder breite Strukturen. Bei größeren Schichtdicken beobachtet man scharfe charakteristische Valenzbandstrukturen ohne Bandlückenzustände. Das In4d-Niveau zeigt eine deutliche Schulter bei niedrigen Bindungsenergien die auf Emissionen aus dem O2s-Rumpfniveau zurückgeführt wird. Die Ergebnisse deuten auf einen schichtdickenabhängigen Sauerstoffgehalt in der Schicht. Dies erklärt auch die beobachteten Emissionen im Bereich der Bandlücke des Indiumoxids bei niedrigeren Bedeckungen.