Parts | Days | Selection | Search | Downloads | Help
O: Oberflächenphysik
O 13: Epitaxie auf Verbindungshalbleitern
Tuesday, March 18, 1997, 09:30–11:15, S 1
![]() |
09:30 | O 13.1 | Morphologie und Rumpfniveau-Verschiebungen von MBE-präparierten GaAs(112)A(B)-und (114)A(B)-Oberflächen — •Jutta Platen, Carsten Setzer, Wolfgang Ranke und Karl Jacobi |
![]() |
09:45 | O 13.2 | Elektrochemische Metallabscheidung an Halbleitern — Vergleich mit der Vakuumdeposition — •G. Scherb, A. Kazimirov, J. Zegenhagen, R. Feidenhans’l und D.M. Kolb |
![]() |
10:00 | O 13.3 | Ag(001)-Filme auf Fe/GaAs(001): Von chemisch reinen Ag-Oberflächen zu atomaren Ga-Strukturen — •F. Meisinger, D.E. Bürgler, C.M. Schmidt, D.M. Schaller und H.-J. Güntherodt |
![]() |
10:15 | O 13.4 |
Rumpfniveau- und Valenzbandspektroskopie am System Ag/InP(100) — •S. Sloboshanin, A. Goldmann und J. A. Schaefer |
![]() |
10:30 | O 13.5 | Epitaxie von 2-6 Halbleitern auf van der Waals Oberflächen — •T. Löher, A. Klein, R. Rudolph, E. Schaar-Gabriel, C. Pettenkofer und W. Jaegermann |
![]() |
10:45 | O 13.6 | Van der Waals-Epitaxie von Indiumselenid-Schichten: Nukleation, Wachstum und elektronische Eigenschaften — •E. Schaar-Gabriel, O. Lang, R. Rudolph, S. Kubala, A. Klein, C. Pettenkofer und W. Jaegermann |
![]() |
11:00 | O 13.7 | Die Grenzfläche von Indiumoxid mit GaAs — •A. Klein, O. Henrion, C. Pettenkofer, W. Jaegermann, B. Mishori, N. Bachrach Ashkenasy und Y. Shapira |