Münster 1997 – wissenschaftliches Programm

Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

O: Oberflächenphysik

O 17: Metalloxide auf Metallen

O 17.5: Vortrag

Dienstag, 18. März 1997, 17:00–17:15, S 10

Zum Mechanismus des O-induzierten Lagenwachstums von Cu auf O/Ru(0001) — •Klaus Meinel, Heino Wolter, Christian Ammer und Henning Neddermeyer — Martin-Luther-Universität Halle-Wittenberg, Fachbereich Physik, 06099 Halle

STM zeigt, daß das bekannte 2D-Wachstum von Cu auf O-vorbedecktem Ru(0001)von zwei unterschiedlichen O/Cu-Strukturen getragen wird. Beide erhöhen O/Cu-Struktur. Sie bildet bei O-Vorbelegungen < 0.3 ML isolierte Bereiche und läßt die wachsenden Cu-Inseln anfänglich unbedeckt. Für hohe O-Vorbedeckungen (0.4<Θ<0.5 ML) bildet sich eine ungeordnete Struktur, die die Oberfläche vollständig bedeckt. Das O-induzierte 2D-Wachstum beruht bei der ungeordneten O/Cu-Struktur auf einer Reduktion der Schwöbel-Barriere am Inselrand. Bei der geordneten O/Cu-Struktur ist die Beweglichkeit der Cu-Adatome auf O- freien Cu-Inseln höher als auf der O/Cu-Struktur. Wegen der reduzierten Inselgröße ist die Zahl der Sprungversuche über den Inselrand erhöht, wodurch sich die Interlagendiffusion verstärkt. Die O/Cu-Struktur wird während des Inselwachstums lateral verschoben, so daß auch bei geringen O-Vorbelegungen ein 2D-Wachstum erfolgt.