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O: Oberflächenphysik
O 18: Elektronische Struktur II
O 18.5: Vortrag
Dienstag, 18. März 1997, 17:00–17:15, S 1
Übergang von 2-dimensionaler zu 3-dimensionaler Bandstruktur: Schichtdickenabhängige kz-Dispersion von halbleitenden
Schichtgitterchalcogeniden — •C. Pettenkofer, A. Klein, R. Schlaf, O. Lang und W. Jaegermann — Hahn-Meitner-Institut, Abt. CG, Glienicker Straße 100, 14109 Berlin
Schichtgitter besitzen eine ausgeprägte 2-dimensionale Struktur: Kovalent gebundene X-M-X (X=S,Se,Te, M Metall) Lagen sind untereinander nur durch schwache van der Waals-artige Kräfte gebunden. Die Einheitszelle von InSe wird durch zwei derartige Schichten gebildet (c=1.6nm für 2H-polytyp), wohingegen bei SnS2 die Einheitszelle nur aus einer Schichtlage besteht. InSe und SnS2 wurden mittels MBE (van der Waals Epitaxie) auf einkristallinem Graphit aufgewachsen. Es wurden energieabhängige Valenzbandspektren (hν=12-28eV) in normaler Emission für verschiedene Schichtdicken gemessen. Bei niedrigen Bedeckungen werden nicht dispergierende scharfe Valenzzustände beobachtet. Die gravirendsten Abweichungen ergeben sich für Zustände an der Valenzbandkante. Diese werden im Falle des InSe den pz Orbitalen einer einzelnen Se-In-In-Se Lage zugeordnet. Mit dem Wachstum der zweiten Lage werden zusätzliche Emissionen beobachtet, die ebenfalls keine Dispersion entlang Γ-A zeigen. Für deutlich dickere Schichten (6nm) setzt die Dispersion der Valenzbänder entlang Γ-A ein.