Münster 1997 – scientific programme
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O: Oberflächenphysik
O 18: Elektronische Struktur II
O 18.6: Talk
Tuesday, March 18, 1997, 17:15–17:30, S 1
Dispersion von f-Zuständen in Ce- und U-Systemen — •J. Boysen1, S.L. Molodtsov1, P. Segovia2, S.A. Gorovikov3 und C. Laubschat1 — 1Institut für Oberflächenphysik und Mikrostrukturphysik, Technische Universität Dresden, D-01062 Dresden, Deutschland — 2Instituto de Fisica Materia Condensada, Universidad Autonoma de Madrid, E-14912 Madrid, Spanien — 3Institute of Physics, St. Petersburg State University, Russia
Die 4f-Elektronen in den Seltenen Erden verhalten sich im Festkörper ähnlich lokalisiert, wie im freien Atom. Eine Ausnahme besteht eventuell nur bei sogenannten α-artigen Ce-Systemen, bei denen die 4f-Elektronen infolge einer f-d-Hybridisierung einen Übergang zum bandartigen Verhalten zeigen könnten. Die 5f-Elektronen in leichten Actiniden werden dagegen i.A. als bandartig betrachtet. Ein eindeutiger experimenteller Nachweis von bandartigem Verhalten in Form beobachteter f-Dispersion besteht bisher nicht, da sich die elektronenspektroskopischen Untersuchungen im wesentlichen auf polykristalline Proben beschränkten. Im vorliegenden Beitrag werden erstmals winkelaufgelöste, resonante Photoemissionsuntersuchungen an geordneten CeRh3- und γ-U-Dünnschichten vorgestellt und die Existenz von f-Dispersion diskutiert.